特許
J-GLOBAL ID：200903036602819752

多結晶半導体層の製造方法

発明者：
三井 健二

三井 健二 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-096557
公開番号（公開出願番号）：特開2002-299234
出願日： 2001年03月29日
公開日（公表日）： 2002年10月11日
要約：
【要約】【課題】多結晶珪素膜の結晶性のバラツキを小さくし、トランジスタ特性のバラツキが小さくできる半導体層を形成する方法を提供する。【解決手段】電気絶縁膜12上に非晶質珪素膜13を形成し、非晶質珪素膜13の断面形状がテーパー状になるようにエッチングしてパターン形成し、エキシマレーザーを照射して非晶質珪素膜13を多結晶化して多結晶珪素膜13’にする。非晶質珪素膜をパターン形成したときの断面形状のテーパー角度は、50度以下であることが好ましい。このようにすると、非晶質珪素膜がエキシマレーザーで、加熱・溶融されたあと、まず、テーパー部分の膜厚が薄い部分から冷却・結晶化されることにより、安定した結晶化を得ることができる。
請求項（抜粋）：
電気絶縁膜上に非晶質珪素膜を形成し、前記非晶質珪素膜の断面形状がテーパー状になるようにエッチングしてパターン形成し、エキシマレーザーを照射して前記非晶質珪素膜を多結晶化することを特徴とする多結晶半導体層の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/20 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (3件)：
H01L 21/20 ,  H01L 29/78 618 C ,  H01L 29/78 627 G
Fターム (23件)：
5F052AA02 ,  5F052BB07 ,  5F052CA07 ,  5F052DA02 ,  5F052DB03 ,  5F052FA04 ,  5F052FA22 ,  5F052JA01 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110GG45 ,  5F110PP03 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ04
引用特許：
審査官引用 (6件)
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