特許

J-GLOBAL ID：200903036665301354

光起電力素子、太陽電池、及び光起電力素子の製造方法

発明者： 宇佐美 徳隆 ,  中嶋 一雄 ,  宇治原 徹 ,  藤原 航三
出願人/特許権者： 国立大学法人東北大学
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-298784
公開番号（公開出願番号）：特開2005-072192
出願日： 2003年08月22日
公開日（公表日）： 2005年03月17日
要約：

【課題】 広範囲の光スペクトルを利用し、高効率で起電力を生ぜしめることができる新規な光起電力素子を提供する。【解決手段】 p型半導体基板11を準備し、このp型半導体基板11と対向するようにしてn型半導体層12を形成する。次いで、p型半導体基板11及びn型半導体層12間に平面内に配列されるともに、厚さ方向に積層された複数の島状部13Aを有する真性層13を形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

p型半導体部と、 前記p型半導体部と対向するようにして設けられたn型半導体部と、 前記p型半導体部及び前記n型半導体部間に設けられた島状構造の真性層と、 を具えることを特徴とする、光起電力素子。

IPC (2件)：

H01L31/04 ,  H01L21/203

FI (2件)：

H01L31/04 X ,  H01L21/203 M

Fターム (12件)：

5F051AA02 ,  5F051CB02 ,  5F051CB29 ,  5F051CB30 ,  5F051DA04 ,  5F051DA13 ,  5F103AA04 ,  5F103DD30 ,  5F103GG01 ,  5F103HH03 ,  5F103LL04 ,  5F103RR05

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 高効率シリコン-ゲルマニウム太陽電池
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-374692   出願人：ダイムラークライスラーアクチエンゲゼルシャフト
• 量子ドットの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-239194   出願人：富士通株式会社
• 光半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-138557   出願人：富士通株式会社