電界効果型トランジスタ及びその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小野寺洋二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-028763
公開番号（公開出願番号）：特開2005-223107
出願日： 2004年02月05日
公開日（公表日）： 2005年08月18日
要約：

【課題】チャネル層が有機半導体膜である電界効果型トランジスタに、有機半導体膜を侵すことなく保護膜を形成することで、トランジスタの性能の劣化や不安定化を抑制する。【解決手段】基板31上にゲート電極32を形成してから、ゲート絶縁膜33を形成し、ゲート絶縁膜33上にソース電極35とドレイン電極36とを水平方向に間隔をおいて形成する。さらに、ゲート絶縁膜33上に有機半導体膜34を形成し、最後に、有機半導体膜34を覆うように、大気との直接接触を防止する保護膜37を形成する。保護膜37を形成する材料としては、ポリマーラテックスを使用する。これにより、有機半導体膜を侵すことなく保護膜が形成され、性能劣化や不安定化が抑制された電界効果型トランジスタが得られる。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

ゲート電極と、ソース/ドレイン電極と、チャネル層を構成する有機半導体膜と、前記ゲート電極と前記チャネル層とに挟まれたゲート絶縁膜とを備えた電界効果型トランジスタにおいて、前記電界効果型トランジスタを保護する保護膜がポリマーラテックス膜からなることを特徴とする電界効果型トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L29/786 , H01L51/00

FI (3件)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 619A , H01L29/28

Fターム (48件)：

5F110AA21 , 5F110CC01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE07 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE30 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF24 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110GG05 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG57 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK04 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK35 , 5F110HK41 , 5F110HK42 , 5F110NN01 , 5F110NN22 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN36

引用特許：

出願人引用 (1件)

特開平4-119539号公報

審査官引用 (7件)

パターニングされた半導体膜を形成する方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2001-520487 出願人：イー-インクコーポレイション
低誘電率絶縁膜形成用水性分散液、低誘電率絶縁膜および電子部品
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-112668 出願人：ジェイエスアール株式会社
溶液処理された素子
公報種別：公表公報出願番号：特願2001-547677 出願人：プラスティックロジックリミテッド

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