微細パタ-ンの転写加工方法

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：渡邉勇 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-122371
公開番号（公開出願番号）：特開2000-039702
出願日： 1999年04月28日
公開日（公表日）： 2000年02月08日
要約：

【要約】【課題】安価で大量生産が可能な、光の波長以下を含めた微細な凹凸パターンを被転写体に形成できる微細パターンの転写加工方法を提供する。【解決手段】微細な凹凸パターン12を備えた転写体11を準備し、被転写体13に半固体材料15を塗布し、転写体11の凹凸パターン12を半固体材料15に加圧して密着させることにより、該半固体材料に凹凸パターン15aを転写し、エネルギービームを該半固体材料の凹凸パターン15aに照射することにより、被転写体13に半固体材料の凹凸パターンに沿った凹凸パターン13aを転写する。

請求項（抜粋）：

微細な凹凸パターンを備えた転写体を準備し、被転写体に半固体材料を塗布し、前記転写体の凹凸パターンを前記半固体材料に密着して加圧することにより、該半固体材料に前記凹凸パターンを転写し、エネルギービームを該半固体材料の凹凸パターンに照射することにより、前記被転写体に前記半固体材料の凹凸パターンに沿った凹凸パターンを転写することを特徴とする微細パターンの転写加工方法。

IPC (5件)：

G03F 1/08 , G03F 7/20 501 , G21K 5/02 , H01L 21/027 , H01L 21/302

FI (6件)：

G03F 1/08 Z , G03F 7/20 501 , G21K 5/02 Z , H01L 21/30 502 D , H01L 21/30 502 P , H01L 21/302 Z

引用特許：

審査官引用 (6件)

薄膜パターン製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-270458 出願人：株式会社日立製作所
特開平2-070412
超微細加工法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-043214 出願人：株式会社荏原製作所

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