特許
J-GLOBAL ID:200903036730854919
圧力センサ
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
伊藤 洋二 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-045186
公開番号(公開出願番号):特開2003-247903
出願日: 2002年02月21日
公開日(公表日): 2003年09月05日
要約:
【要約】【課題】 センサ素子をパッケージ部材に接着剤層を介して直接接着するようにした圧力センサにおいて、温度変化によるセンサ特性の変動を極力抑制できるようにする。【解決手段】 半導体よりなり、圧力が印加されたとき歪みを発生するとともに該歪みに基づく電気信号を出力するセンサ素子10と、樹脂材料よりなり、センサ素子10を支持するパッケージ部材20とを備える圧力センサS1において、センサ素子10はパッケージ部材20に接着剤層30を介して直接接着されており、接着剤層30のヤング率が2.45×103Pa〜2.06×104Paである。
請求項(抜粋):
半導体よりなり、応力が印加されたとき歪みを発生するとともに該歪みに基づく電気信号を出力するセンサ素子(10)と、樹脂材料よりなり、前記センサ素子を支持するパッケージ部材(20)とを備える圧力センサにおいて、前記センサ素子は前記パッケージ部材に接着剤層(30)を介して直接接着されており、前記接着剤層のヤング率が2.45×103Pa〜2.06×104Paであることを特徴とする圧力センサ。
IPC (2件):
G01L 9/00 303
, H01L 29/84
FI (2件):
G01L 9/00 303 P
, H01L 29/84 B
Fターム (20件):
2F055AA01
, 2F055BB20
, 2F055CC02
, 2F055DD05
, 2F055EE13
, 2F055FF01
, 2F055GG25
, 4M112AA01
, 4M112BA01
, 4M112CA01
, 4M112CA08
, 4M112CA12
, 4M112DA18
, 4M112EA02
, 4M112EA11
, 4M112EA13
, 4M112EA14
, 4M112FA05
, 4M112FA11
, 4M112GA01
引用特許:
審査官引用 (4件)
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半導体圧力センサ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-340809
出願人:富士電機株式会社
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半導体圧力センサ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-093260
出願人:株式会社デンソー
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半導体式圧力センサ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-328792
出願人:株式会社デンソー
-
半導体力学量センサ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-269816
出願人:株式会社デンソー
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