特許
J-GLOBAL ID：200903036767942699

成膜方法および装置

発明者：
横山 敬志

横山 敬志 について


出願人/特許権者：
エア・ウォーター株式会社

エア・ウォーター株式会社 について


代理人 (1件)： 森本 直之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-234065
公開番号（公開出願番号）：特開2006-054279
出願日： 2004年08月11日
公開日（公表日）： 2006年02月23日
要約：
【課題】基板表面を高温加熱して清浄化する際に、装置内に残存している有機金属の未反応原料や反応生成物が再蒸発して基板に付着することを回避しうる成膜方法および装置を提供する。【解決手段】被処理物5を加熱する加熱空間1Aと、被処理物5が露出し少なくとも成膜用の原料ガスが供給される成膜空間1Bとを含んで構成された反応処理装置Aを準備し、上記反応処理装置Aの外側に配置された清浄化処理装置Bにより被処理物5の表面を加熱してあらかじめ清浄化処理を行い、上記清浄化処理がなされた被処理物5を反応処理装置Aの所定の箇所に取り付けて被処理物5に成膜を行う方法と装置である。このため、清浄化処理装置Bを不純物が被処理物5に付着しない環境で動作できるので、良質な清浄化表面に高品質の成膜ができる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
被処理物を加熱する加熱空間と、被処理物が露出し少なくとも成膜用の原料ガスが供給される成膜空間とを含んで構成された反応処理装置を準備し、上記反応処理装置の外側に配置された清浄化処理装置により被処理物の表面を加熱してあらかじめ清浄化処理を行い、上記清浄化処理がなされた被処理物を反応処理装置の所定の箇所に取り付けて被処理物に成膜を行うことを特徴とする成膜方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/02 ,  C30B 29/38
FI (3件)：
H01L21/205 ,  C23C16/02 ,  C30B29/38 D
Fターム (32件)：
4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077ED06 ,  4G077EE02 ,  4G077EG13 ,  4G077HA02 ,  4G077TA04 ,  4G077TB05 ,  4G077TK10 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030CA05 ,  4K030DA03 ,  4K030FA10 ,  4K030GA12 ,  4K030KA08 ,  4K030LA14 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AF09 ,  5F045EB08 ,  5F045EB13 ,  5F045EE05 ,  5F045EF01 ,  5F045HA25
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (3件)

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