特許
J-GLOBAL ID:200903036788077882
有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (2件):
目次 誠
, 宮▲崎▼主税
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-050034
公開番号(公開出願番号):特開2006-066379
出願日: 2005年02月25日
公開日(公表日): 2006年03月09日
要約:
【課題】低電圧で駆動可能で、かつ発光効率が高い有機エレクトロルミネッセント素子を得る。【解決手段】陰極51及び陽極52の間に配置される中間ユニット30と、陰極51と中間ユニット30の間に配置される第1の発光ユニット41と、陽極52及び中間ユニット30の間に配置される第2の発光ユニット42とを備え、中間ユニット30に、陰極側に隣接する隣接層から電子を引き抜くための電子引き抜き層が設けられており、電子引き抜き層の最低空分子軌道(LUMO)のエネルギーレベルの絶対値│LUMO(A)│と、隣接層の最高被占分子軌道(HOMO)のエネルギーレベルの絶対値│HOMO(B)│が、│HOMO(B)│-│LUMO(A)│≦1.5eVの関係にあり、中間ユニット30は、電子の引き抜きにより発生したホールを第1の発光ユニット41に供給するとともに、引き抜いた電子を第2の発光ユニット42に供給することを特徴とする。【選択図】図1
請求項(抜粋):
陰極と、陽極と、前記陰極及び前記陽極の間に配置される中間ユニットと、前記陰極及び前記中間ユニットの間に配置される第1の発光ユニットと、前記陽極及び前記中間ユニットの間に配置される第2の発光ユニットとを備え、
前記中間ユニットに、陰極側に隣接する隣接層から電子を引き抜くための電子引き抜き層が設けられており、前記電子引き抜き層の最低空分子軌道(LUMO)のエネルギーレベルの絶対値│LUMO(A)│と、前記隣接層の最高被占分子軌道(HOMO)のエネルギーレベルの絶対値│HOMO(B)│が、│HOMO(B)│-│LUMO(A)│≦1.5eVの関係にあり、
前記中間ユニットは、前記電子引き抜き層による前記隣接層からの電子の引き抜きにより発生したホールを前記第1の発光ユニットに供給するとともに、引き抜いた電子を前記第2の発光ユニットに供給することを特徴とする有機エレクトロルミネッセント素子。
IPC (4件):
H05B 33/12
, C07D 487/14
, C09K 11/06
, H01L 51/50
FI (5件):
H05B33/12 C
, C07D487/14
, C09K11/06 690
, H05B33/14 A
, H05B33/22 A
Fターム (20件):
3K007AB03
, 3K007AB06
, 3K007BA05
, 3K007BA06
, 3K007BB06
, 3K007DA06
, 3K007DB03
, 3K007GA00
, 4C050AA01
, 4C050AA08
, 4C050BB08
, 4C050CC08
, 4C050DD02
, 4C050EE06
, 4C050FF02
, 4C050FF03
, 4C050GG02
, 4C050GG03
, 4C050GG04
, 4C050HH01
引用特許: