電界効果トランジスタ

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-006013
公開番号（公開出願番号）：特開2000-208760
出願日： 1999年01月13日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：

【要約】【課題】 GaN系化合物半導体で構成され、発熱、ノイズ及びサージ電圧が小さい新規構造の電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】半絶縁性もしくは第1の導電型の導電性基板1の上に、バッファ層2、半絶縁性半導体層3、第1の導電型の半導体層4、第1の導電型とは逆の第2の導電型の半導体層5、第1の導電型の半導体層6が順自積層され、第1の導電型の半導体層6上にソース電極Sが装荷され、前記半絶縁性半導体層3上にドレイン電極Dが装荷され、前記第1の導電型の半導体層4,第2の導電型の半導体層5、第1の導電型の半導体層6にまたがるようにゲート電極Gが装荷された構造になっている。そして各電極以外の部分は、例えばSiO2 膜、SiN膜、AlN膜、AlGaN膜のような絶縁膜7で被覆されている。

請求項（抜粋）：

GaN系化合物半導体からなる複数の半導体層の積層構造を有し、かつ、表面にはゲート電極とソース電極とドレイン電極とが装荷されている電解効果トランジスタであって、前記ゲート電極は第1導電型の半導体層と第1導電型とは逆の第2導電型の半導体層と前記第1の導電型の半導体層とは異なる第1の導電型の半導体層からなる多層膜にまたがって装荷されていることを特徴とする電解効果トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 29/78 301 B , H01L 29/78 301 P , H01L 29/78 301 G

Fターム (18件)：

5F040DA03 , 5F040DA22 , 5F040DA23 , 5F040DA24 , 5F040DC03 , 5F040EA04 , 5F040EB12 , 5F040EB13 , 5F040EC04 , 5F040EC08 , 5F040EC10 , 5F040EC24 , 5F040ED03 , 5F040ED04 , 5F040EE03 , 5F040EE04 , 5F040EH02 , 5F040FC05

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平4-296056
特開平3-104171
炭化ケイ素におけるパワーMOSFET
公報種別：公表公報出願番号：特願平6-513138 出願人：クリー・リサーチ・インコーポレーテッド

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