半導体のマイクロ欠陥の検出と分類

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松永孝義
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-575622
公開番号（公開出願番号）：特表2004-526964
出願日： 2002年03月27日
公開日（公表日）： 2004年09月02日
要約：

【課題】【解決手段】特に、室温フォトルミネセンス効果を使用して、シリコン又は半導体構造中の欠陥を検出し分類する方法と装置。当該方法は、シリコン又は半導体構造中のマイクロ欠陥を検出し、地図を作り(map)、特定し、及び/又は特徴付けをするため、分析対象のシリコン又は半導体構造のサンプルの表面に強度の高い光線を照射し、光ルミネセンスイメージを作り出し、反射光のイメージを作り出し、前記2つのイメージの情報を組み合わせることを含む。

請求項（抜粋）：

分析対象のシリコン又は半導体構造のサンプルの表面に強度の高い光線を照射し、光線によるシリコン又は半導体構造の励振で生じた光ルミネセンスから第1の光ルミネセンスイメージを作り出し、光線からシリコン又は半導体構造の表面に反射した光で第2の反射光のイメージを作り出し、前記2つのイメージの情報を組み合わせて、シリコン又は半導体構造中のマイクロ欠陥を検出し、マッピングし(map)、同定し、及び/又は特徴付けをすることを特徴とするシリコン又は半導体構造中の欠陥を検出し分類する方法。

IPC (3件)：

G01N21/954 , G01N21/64 , H01L21/66

FI (3件)：

G01N21/954 A , G01N21/64 Z , H01L21/66 N

Fターム (24件)：

2G043AA03 , 2G043CA07 , 2G043EA01 , 2G043GA08 , 2G043GB21 , 2G043KA09 , 2G043LA03 , 2G051AA51 , 2G051AB02 , 2G051BA10 , 2G051CA04 , 2G051CB10 , 2G051EA12 , 2G051EB01 , 2G051EC01 , 4M106AA01 , 4M106BA04 , 4M106BA05 , 4M106CA18 , 4M106CB19 , 4M106DA15 , 4M106DH12 , 4M106DJ19 , 4M106DJ20

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平1-314953
半導体材料の検査方法及びその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-177858 出願人：住友金属工業株式会社
欠陥検査方法および欠陥検査装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-012793 出願人：ラトックシステムエンジニアリング株式会社, 科学技術振興事業団

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引用文献：

審査官引用 (3件)

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