特許
J-GLOBAL ID：200903036883048245
Taスパッタターゲットとその製造方法及び組立体
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
倉内 基弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-261108
公開番号（公開出願番号）：特開平11-080942
出願日： 1997年09月10日
公開日（公表日）： 1999年03月26日
要約：
【要約】【課題】 パーティクルが少なく、抵抗値のばらつきの少ないTa膜及びTaNx膜を得ることができる安価なTaターゲットの開発。【解決手段】 平均結晶粒径が0.1-300 μmでかつそのばらつきが±20%以下、酸素濃度が50ppm 以下、Na≦0.1ppm、K ≦0.1ppm、U ≦1ppb、Th≦1ppb、Fe≦5ppm、Cr≦5ppm、Ni≦5ppm、高融点金属元素の含有量の合計が50ppm 以下であるTaスパッタターゲット。好ましくは、{110 }、{200 }及び{211 }の3つの面の強度比の総和が55%以上で、かつそのばらつきが±20%以下、水素濃度が20ppm 以下、スパッタ表面部分の平均粗さ(Ra)が0.01-5μm、スパッタ表面部分の酸化物層の厚さが200nm 以下、ターゲットのスパッタされた物質が堆積する部分を粗化面とする。
請求項（抜粋）：
(イ)平均結晶粒径が0.1〜300μmでかつ平均結晶粒径の場所によるばらつきが±20%以下であり、(ロ)酸素濃度が50ppm以下であり、そして(ハ)不純物濃度について、Na≦0.1ppm、K≦0.1ppm、U≦1ppb、Th≦1ppb、Fe≦5ppm、Cr≦5ppm、Ni≦5ppm、そして高融点金属元素(Hf、Nb、Mo、W、Ti及びZr)の含有量の合計が50ppm以下であることを特徴とするTaスパッタターゲット。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C23C 14/34 A
, C23C 14/14 Z
