特許
J-GLOBAL ID：200903036929780248
基板処理チャンバのためのプロセスキット及びターゲット
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
長谷川 芳樹
, 山田 行一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-296371
公開番号（公開出願番号）：特開2007-146290
出願日： 2006年10月31日
公開日（公表日）： 2007年06月14日
要約：
【課題】チャンバ要素上や基板の張り出しエッジ上のプロセス堆積物の堆積を減少させるプロセスキットの提供。【解決手段】基板処理チャンバ内で基板支持体の周りに配置するための堆積リングにおいて、プロセスガスのプラズマが該基板を処理するために形成され、該基板が該基板の張り出しているエッジの前で終わる周囲壁を備え、該堆積リングが該支持体の周囲壁を囲む環状バンド216であって、該環状バンドから横に伸長し、該支持体の周囲壁にほぼ並行であり、該基板の張り出しているエッジの下で終わる内部リップ218と、隆起リッジ224と、内部リップと隆起リッジとの間に、基板の張り出しているエッジの下に少なくとも部分的に伸長する内部開放チャネル230と、該隆起リッジの放射状に外向きのレッジ236と、を備えている前記環状バンドを備えている防着リングを配置する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
基板処理チャンバ内で基板支持体の周りに配置するための堆積リングにおいて、プロセスガスのプラズマが該基板を処理するために形成され、該基板が該基板の張り出しているエッジの前で終わる周囲壁を備え、該堆積リングが、
(a)該支持体の該周囲壁を囲む環状バンドであって、
(i)該環状バンドから横に伸長し、該支持体の該周囲壁にほぼ並行であり、該基板の該張り出しているエッジの下で終わる内部リップと、
(ii)隆起リッジと、
(iii)該内部リップと該隆起リッジとの間に、該基板の該張り出しているエッジの下に少なくとも部分的に伸長する内部開放チャネルと、
(iv)該隆起リッジの放射状に外向きのレッジと、
を備えている前記環状バンドを備えている、前記堆積リング。
IPC (5件)：
C23C 14/34
, H01L 21/306
, H01L 21/205
, C23C 14/50
, C23C 16/44
C23C14/34 C
, H01L21/302 101G
, H01L21/205
, C23C14/50 Z
, C23C16/44 B
, C23C14/34 Z
4K029BA03
, 4K029DA01
, 4K029DA10
, 4K029DC00
, 4K029DC03
, 4K029DC20
, 4K029DC21
, 4K029DC25
, 4K029JA01
, 4K029JA05
, 4K029JA06
, 4K030FA01
, 4K030KA08
, 4K030KA45
, 4K030KA49
, 5F004AA15
, 5F004BB18
, 5F004BB23
, 5F045BB08
, 5F045BB10
, 5F045BB15
, 5F045DP02
, 5F045DQ10
, 5F045EM01
