バイアススパッタリング装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：保立浩一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-306881
公開番号（公開出願番号）：特開2002-115051
出願日： 2000年10月05日
公開日（公表日）： 2002年04月19日
要約：

【要約】【課題】基板にバイアス電圧を印加しながら導電膜を作成するスパッタリングにおいて、スパッタリングを数多く繰り返した場合でも、バイアス電圧が正常に基板9に印加されるようにする。【解決手段】スパッタチャンバー1内にガス導入系2によってアルゴン等のガスを導入し、基板ホルダー5で基板9を保持しながら、導電材料より成るターゲット3にスパッタ電源4が電圧を印加してスパッタ放電を生じさせる。ターゲット3から放出されたスパッタ粒子が基板9に到達して導電膜が作成される。基板9にはバイアス電源52によってバイアス電圧が与えられる。基板ホルダー5は、接地電位の部材として基板保持面の斜め後方にホルダーシールド53を有し、ホルダーシールド53の表面の堆積膜501と基板保持面の堆積膜504とが連続しないようにする膜連続防止用凹部54を有する。基板保持面は基板9よりも小さく、膜連続防止用凹部54へのパッタ粒子は基板保持面からはみ出した基板9の周辺部分によって遮蔽される。

請求項（抜粋）：

排気系を有するスパッタチャンバーと、被スパッタ面がスパッタチャンバー内に露出するようにして設けられた導電材料より成るターゲットと、ターゲットの被スパッタ面を臨む空間に電界を設定してスパッタ放電を生じさせるスパッタ電源と、スパッタ放電によってターゲットから放出されたスパッタ粒子が到達するスパッタチャンバー内の所定位置に基板を保持する基板ホルダーと、基板にバイアス電圧を印加するバイアス電源とを備え、基板にバイアス電圧を印加しながらターゲットからのスパッタ粒子を基板の表面に到達させて前記導電材料の薄膜を作成するバイアススパッタリング装置において、基板の表面側を前側、裏面側を後ろ側としたとき、基板ホルダーは、基板保持面の斜め後方に接地電位に維持された部材を有しており、さらに、基板ホルダーは、前記接地電位に維持された部材の表面に堆積する膜と、基板保持面に堆積する膜とが連続しないようにする凹部である膜連続防止用凹部を有していることを特徴とするバイアススパッタリング装置。

IPC (4件)：

C23C 14/34 , C23C 14/44 , H01L 21/203 , H01L 21/285

FI (4件)：

C23C 14/34 T , C23C 14/44 , H01L 21/203 S , H01L 21/285 S

Fターム (16件)：

4K029BA03 , 4K029BA08 , 4K029BC03 , 4K029BD02 , 4K029CA05 , 4K029CA13 , 4K029DA10 , 4K029JA01 , 4K029JA05 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104DD39 , 5F103AA08 , 5F103BB31 , 5F103DD28 , 5F103RR10

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開昭62-095739
特開昭63-157862
スパッタリング装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-058345 出願人：株式会社日立製作所

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