特許
J-GLOBAL ID：200903036966299681

デバイスの製造方法

発明者：
ジョゼ ベヴック

ジョゼ ベヴック について


出願人/特許権者：
ルーセント テクノロジーズ インコーポレイテッド

ルーセント テクノロジーズ インコーポレイテッド について


代理人 (1件)： 三俣 弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-197846
公開番号（公開出願番号）：特開平11-097380
出願日： 1998年07月13日
公開日（公表日）： 1999年04月09日
要約：
【要約】【課題】 深いドーパントの濃度プロファイルを与えクロスドーピングによる問題を解決する半導体の製造方法を提供すること。【解決手段】 本発明は、シリコン製基板10の上に誘電体領域18を形成するステップと、前記誘電体領域18の上に第1のアモルファスシリコンまたはポリシリコンの領域20を形成するステップと、前記領域20の上にドーパントを注入するステップと、前記ステップの後、前記領域20の上に第2のアモルファスシリコンまたはポリシリコンの領域50を形成するステップとを有する。
請求項（抜粋）：
(A) シリコン製基板(10)の上に誘電体領域(18)を形成するステップと、(B) 前記誘電体領域(18)の上に第1のアモルファスシリコンまたはポリシリコンの領域(20)を形成するステップと、(C) 前記第1のアモルファスシリコンまたはポリシリコン領域(20)の上に1種類あるいは複数種類のドーパント(32,42)を注入するステップと、(D) 前記(C)のステップの後、前記第1のアモルファスシリコンまたはポリシリコンの領域(20)の上に第2のアモルファスシリコンまたはポリシリコンの領域(50)を形成するステップとを有することを特徴とするデバイスの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/265 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092
FI (3件)：
H01L 21/265 H ,  H01L 21/265 Z ,  H01L 27/08 321 B
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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