特許
J-GLOBAL ID：200903036973307320

電界効果トランジスタ

発明者：
佐沢 洋幸

佐沢 洋幸 について

, 
西川 直宏

西川 直宏 について


出願人/特許権者：
住友化学株式会社

住友化学株式会社 について


代理人 (1件)： 高野 昌俊
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-097133
公開番号（公開出願番号）：特開2008-258299
出願日： 2007年04月03日
公開日（公表日）： 2008年10月23日
要約：
【課題】電流コラプスが少なく且つ高耐圧特性を有する低コストにて製造可能な電界効果トランジスタを提供すること。【解決手段】ガリウムナイトライド系の電界効果トランジスタ1において、ガリウムナイトライドで構成された電子走行層103と、構造式Inx AI1-x N(0.13≦x≦0.22)で示されるインジウムアルミナイトライドで構成されており電極収容のためのゲートリセス構造105及びドレインリセス構造106を有している厚みが50nmより厚い電子供給層104と設け、ゲート電極108あるいはドレイン電極109の少なくとも一部が対応するリセス構造の底面に形成されるようにした。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ガリウムナイトライド系電界効果トランジスタにおいて、 ガリウムナイトライドで構成された電子走行層と、 構造式Inx AI1-x N(0.13≦x≦0.22)で示されるインジウムアルミナイトライドで構成されており電極収容のための凹部を有している厚みが50nmより厚い電子供給層とを備えて成り、 ゲート電極あるいはドレイン電極の少なくとも一部が前記凹部の底面に形成されていることを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (6件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/41 ,  H01L 21/28
FI (5件)：
H01L29/80 H ,  H01L29/80 F ,  H01L29/06 301F ,  H01L29/44 L ,  H01L21/28 301B
Fターム (33件)：
4M104AA03 ,  4M104BB05 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104FF06 ,  4M104FF10 ,  4M104FF13 ,  4M104FF27 ,  4M104GG12 ,  5F102FA01 ,  5F102FA02 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ05 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM10 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GR09 ,  5F102GR13 ,  5F102GR17 ,  5F102GS02 ,  5F102GT03 ,  5F102HC01 ,  5F102HC15
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (3件)

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