特許
J-GLOBAL ID：200903016477340139

半導体装置及びその製造方法

発明者：
神田 敦彦

神田 敦彦 について

, 
村田 智洋

村田 智洋 について

, 
廣瀬 裕

廣瀬 裕 について

, 
上本 康裕

上本 康裕 について

, 
田中 毅

田中 毅 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (6件)： 前田 弘 ,  小山 廣毅 ,  竹内 宏 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  原田 智雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-363121
公開番号（公開出願番号）：特開2005-129696
出願日： 2003年10月23日
公開日（公表日）： 2005年05月19日
要約：
【課題】 III-V族窒化物半導体に設けるオーミック電極のコンタクト抵抗を低減しながらデバイスの特性を向上できるようにする。 【解決手段】 半導体装置(HFET)は、SiC基板11上にバッファ層12を介在させて形成された第1の窒化物半導体層13と、該第1の窒化物半導体層13の上に形成され、該第1の窒化物半導体層13の上部に2次元電子ガス層を生成する第2の窒化物半導体層14と、該第2の窒化物半導体層14の上に選択的に形成されたオーム性を持つ電極16、17とを有している。第2の窒化物半導体層14は、底面又は壁面が基板面に対して傾斜した傾斜部を持つ断面凹状のコンタクト部14aを有し、オーム性を持つ電極16、17はコンタクト部14aに形成されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1の窒化物半導体層と、 前記第1の窒化物半導体層の上に形成され、該第1の窒化物半導体層の上部に2次元電子ガス層を生成する組成を有する第2の窒化物半導体層と、 前記第2の窒化物半導体層の上に選択的に形成されたオーム性を持つ電極とを備え、 前記第2の窒化物半導体層は、底面又は壁面が前記第1の窒化物半導体層の上面に対して傾斜した少なくとも1つの傾斜部を持つ断面凹状のコンタクト部を有し、 前記電極は前記コンタクト部に形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (6件)：
H01L21/338 ,  H01L21/331 ,  H01L29/737 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01S5/042
FI (3件)：
H01L29/80 H ,  H01S5/042 614 ,  H01L29/72 H
Fターム (37件)：
5F003BA92 ,  5F003BB01 ,  5F003BF06 ,  5F003BG06 ,  5F003BH08 ,  5F003BH99 ,  5F003BM03 ,  5F073AA13 ,  5F073AA61 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB10 ,  5F073CB22 ,  5F073DA21 ,  5F073DA35 ,  5F073EA29 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD05 ,  5F102GJ02 ,  5F102GK02 ,  5F102GL02 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM07 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR00 ,  5F102GS01 ,  5F102GT01 ,  5F102GT03 ,  5F102HC01 ,  5F102HC07 ,  5F102HC11 ,  5F102HC15 ,  5F102HC18 ,  5F102HC19 ,  5F102HC29
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • GaN系半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-246113   出願人：古河電気工業株式会社
審査官引用 (20件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM