特許

J-GLOBAL ID：200903037016047909

窒化物半導体MIS型電界効果トランジスタ

発明者： 宮本 広信 ,  安藤 裕二 ,  中山 達峰 ,  岡本 康宏 ,  井上 隆 ,  葛原 正明 ,  幡谷 耕二
出願人/特許権者： 日本電気株式会社 ,  古河電気工業株式会社
代理人 (1件)： 池田 憲保
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-421001
公開番号（公開出願番号）：特開2005-183597
出願日： 2003年12月18日
公開日（公表日）： 2005年07月07日
要約：

【課題】 ゲートリーク電流が小さく、かつドレイン電流の時間的変動の無い高電圧動作高出力MIS型窒化物半導体トランジスタを提供する。【解決手段】 窒化物半導体3の表面とゲート電極2の間にゲート絶縁膜を有する窒化物半導体MIS型電界効果トランジスタであって、ゲート絶縁膜が窒素を含むアルミニウムの酸化物7である。窒素を含むアルミの酸化物7をゲート絶縁膜に用いることにより、膜中のリークパスを無くし、また窒化物半導体3に対して十分な障壁高さを得ることによりゲートリーク電流を低減すると共に、ドレイン電流の時間的変動の主要因となる半導体界面に発生する界面準位を抑制する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

窒化物半導体表面とゲート電極の間にゲート絶縁膜を有する窒化物半導体MIS型電界効果トランジスタにおいて、 上記ゲート絶縁膜が窒素を含むアルミニウムの酸化物であることを特徴とする窒化物半導体MIS型電界効果トランジスタ。

IPC (1件)：

H01L29/78

FI (2件)：

H01L29/78 301B ,  H01L29/78 301G

Fターム (23件)：

5F140AA24 ,  5F140AA25 ,  5F140BA02 ,  5F140BA06 ,  5F140BA09 ,  5F140BD01 ,  5F140BD04 ,  5F140BD11 ,  5F140BD13 ,  5F140BD15 ,  5F140BE07 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BF05 ,  5F140BF11 ,  5F140BF15 ,  5F140BG30 ,  5F140BJ05 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15 ,  5F140BK29 ,  5F140CC03 ,  5F140CE02

引用特許：

出願人引用 (5件)

• 電界効果型トランジスタおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-225077   出願人：ソニー株式会社
• 半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-056788   出願人：ソニー株式会社
• 特開昭64-023571
  
• 特開昭64-082671
  
• GaN系電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-328873   出願人：古河電気工業株式会社

審査官引用 (4件)

• 半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-056788   出願人：ソニー株式会社
• 電界効果型トランジスタおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-225077   出願人：ソニー株式会社
• 特開昭64-023571
  
• 特開昭64-082671
  

引用文献：

出願人引用 (2件)

• GaN:Processing,defects,and devices
• The effects of oxidation temperature on the capacitance-voltage characteristics of oxidatized AlN fi

審査官引用 (2件)

• GaN:Processing,defects,and devices
• The effects of oxidation temperature on the capacitance-voltage characteristics of oxidatized AlN fi