特許
J-GLOBAL ID：200903037025553639
クーロンブロケード素子の制御方法及びクーロンブロケード素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-235032
公開番号（公開出願番号）：特開平10-079502
出願日： 1996年09月05日
公開日（公表日）： 1998年03月24日
要約：
【要約】【課題】 安定した単電子メモリ動作を実現する。【解決手段】 クーロンブロケード素子は、金属又は縮退半導体からなる電極部1、トンネル性容量部2、半導体からなる微小島3、非トンネル性容量部4、電極部5からなる。島3に正孔が1個存在する初期状態は、電圧V1を電極部5に印加しながら光を照射して電子及び正孔を励起し、次に光の照射を停止することによって実現される。光を照射しない状態で電圧V2(V2>V1)を電極部5に印加すると、電子が電極部1からトンネルによって島3に入り、電子と正孔の再結合が生じて、島3における電子の数が0となる。この状態は、電圧をV1に戻しても光を照射しない限り記憶される。
請求項（抜粋）：
キャリアを閉じ込めるための半導体からなる微小島、トンネル性容量を介して前記微小島に接続された金属又は縮退半導体からなる第1の電極、及び非トンネル性容量を介して前記微小島に接続された第2の電極を備えたクーロンブロケード素子に対し、第1、第2の電極間に印加する電極間電圧を制御すると共に照射光のオン/オフ制御を行うことにより、前記微小島内に存在するキャリア数を非可逆的に変化させることを特徴とするクーロンブロケード素子の制御方法。
IPC (4件)：
H01L 29/66
, G11C 11/42
, H01L 27/10 451
, H01L 27/146
H01L 29/66
, G11C 11/42 D
, H01L 27/10 451
, H01L 27/14 A
