特許
J-GLOBAL ID：200903096956064034

半導体装置

発明者：
堀田 幸司

堀田 幸司 について

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櫛田 知義

櫛田 知義 について

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杉山 隆英

杉山 隆英 について


出願人/特許権者：
トヨタ自動車株式会社

トヨタ自動車株式会社 について

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株式会社豊田中央研究所

株式会社豊田中央研究所 について


代理人 (1件)： 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-180348
公開番号（公開出願番号）：特開2006-005178
出願日： 2004年06月18日
公開日（公表日）： 2006年01月05日
要約：
【課題】 オン電圧や耐圧を犠牲にしないで、半導体装置がターンオフした過渡的な期間において発生するサージ電圧を低減することを目的としている。【解決手段】 バイポーラ動作する半導体装置であり、この半導体装置のゲート信号をオフした直後のターンオフ期間中において、その半導体装置に設けられているドリフト領域26内の少なくとも一部では、正孔濃度がそのドリフト領域の不純物濃度の10倍以上に維持されていることを特徴としている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
コレクタ電極と、 コレクタ電極に接続している第1導電型のコレクタ領域と、 コレクタ領域と接する第2導電型の高濃度のバッファ領域と、 バッファ領域によってコレクタ領域から隔てられている第2導電型の低濃度のドリフト領域と、 ドリフト領域によってバッファ領域から隔てられている第1導電型のボディ領域と、 ボディ領域によってドリフト領域から隔てられている第2導電型のエミッタ領域と、 エミッタ領域に接続しているエミッタ電極と、 エミッタ領域とドリフト領域を隔てているボディ領域にゲート絶縁膜を介して対向するゲート電極を備え、 ドリフト領域内の少なくとも一部において、ターンオフ期間中の第1導電型のキャリア濃度が、そのドリフト領域の不純物濃度の10倍以上に維持されることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/78 ,  H01L 29/739 ,  H01L 21/336
FI (5件)：
H01L29/78 655B ,  H01L29/78 652H ,  H01L29/78 655A ,  H01L29/78 655C ,  H01L29/78 658H
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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