特許
J-GLOBAL ID：200903037099295437

半導体装置の製造方法、半導体基板の製造方法および半導体基板

発明者：
荒木 延恵

荒木 延恵 について


出願人/特許権者：
コバレントマテリアル株式会社

コバレントマテリアル株式会社 について


代理人 (4件)： 松山 允之 ,  河西 祐一 ,  池上 徹真 ,  須藤 章
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-138864
公開番号（公開出願番号）：特開2007-311536
出願日： 2006年05月18日
公開日（公表日）： 2007年11月29日
要約：
【課題】 水分や酸素量を管理することなく、大気環境下に放置した場合でも、自然酸化膜の成長を抑制する半導体装置の製造方法、半導体基板の製造方法、および、大気環境下に放置した場合でも、自然酸化膜の成長が抑制される半導体基板を提供する。 【解決手段】 単結晶、多結晶または非晶質のシリコンを少なくとも表面の一部に有する半導体基板を、半導体基板に対する静電気除電効果のない環境でウェット処理する際に、処理液と半導体基板を相対的に運動させることによりウェット処理するステップと、ウェット処理後に、半導体基板をこの半導体基板と同程度に帯電した治具または非導電性治具によって保持するステップを有することを特徴とする半導体装置および半導体基板の製造方法。また、+100V〜+12KVに帯電していることを特徴とする半導体基板。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
単結晶、多結晶または非晶質のシリコンを少なくとも表面の一部に有する半導体基板を、前記半導体基板に対する静電気除電効果のない環境でウェット処理する際に、 処理液と前記半導体基板を相対的に運動させることにより、ウェット処理するステップと、 前記ウェット処理後に、前記半導体基板を前記半導体基板と同程度に帯電した治具または非導電性治具によって保持するステップを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/304 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/768
FI (3件)：
H01L21/304 648D ,  H01L21/28 A ,  H01L21/90 C
Fターム (7件)：
4M104AA01 ,  4M104DD23 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ20 ,  5F033QQ92 ,  5F033QQ94 ,  5F033XX20
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (4件)
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