特許

J-GLOBAL ID：200903037121448200

炭化珪素半導体装置

発明者： 久田 祥之 ,  奥野 英一 ,  光岡 義仁 ,  天野 伸治 ,  遠藤 剛 ,  向中野 信一 ,  一宮 彪彦
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (2件)： 恩田 博宣 ,  恩田 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-375266
公開番号（公開出願番号）：特開2004-207511
出願日： 2002年12月25日
公開日（公表日）： 2004年07月22日
要約：

【課題】SiCとゲート絶縁膜との界面に関して実用性に優れた炭化珪素半導体装置を提供する。【解決手段】p型SiC基板1の主表面は(0001)Si面に対して10〜16°を成す面となっている。p型SiC基板1の主表面での表層部にはn+ソース領域2とn+ドレイン領域3が離間して形成されている。p型SiC基板1の主表面の上にはゲート酸化膜4を介してゲート電極5が形成されている。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

少なくとも(0001)Si面に対して10〜16°を成す面を主表面とするSiC基板に形成され、前記主表面が電界効果型MOSトランジスタのチャネル面であることを特徴とする炭化珪素半導体装置。

IPC (1件)：

H01L29/78

FI (3件)：

H01L29/78 301B ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 301Q

Fターム (10件)：

5F140AA00 ,  5F140AA01 ,  5F140AC02 ,  5F140AC23 ,  5F140AC26 ,  5F140BA02 ,  5F140BA20 ,  5F140BE07 ,  5F140BH21 ,  5F140BK13

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-101621   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体基板、半導体素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-301293   出願人：松下電器産業株式会社
• SiCウエハ、SiC半導体デバイス、および、SiCウエハの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-127471   出願人：松波弘之, 木本恒暢, 株式会社シクスオン, 関西電力株式会社, 三菱商事株式会社, 住友電気工業株式会社
• 半導体基板および半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-227004   出願人：松下電器産業株式会社