特許
J-GLOBAL ID：200903037138235420
焼き付け方法、マスク基板、及び焼き付け装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長尾 達也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-098448
公開番号（公開出願番号）：特開平11-283911
出願日： 1998年03月26日
公開日（公表日）： 1999年10月15日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】マスク基板の開口方向と照射する光の偏光方向の違いによるマスク基板からしみだす光の生じ方が異なる現象を避けることができ、マスクパターンを精度よく転写することが可能な焼き付け方法、マスク基板、及び焼き付け装置を提供する。【解決手段】マスク基板に対して直線偏光の光を少なくとも2方向から照射し、前記マスク基板の開口方向と照射する光の偏光方向の違いによる該マスク基板からしみだす光の生じ方が異なる現象を避けるようにして焼き付けを行うことを特徴とするものであり、また、本発明のこれらに用いるマスク基板は、x、yを直行する座標軸とすると、一つのマスクパターンをx軸方向に伸びるスリット状の開口とy軸方向に伸びるスリット状の開口に分けて、2つのマスク基板により、一つのマスクパターンを形成することを特徴とするものである。
請求項（抜粋）：
異なる開口方向により形成されたマスク基板に光を入射させ、該マスク基板における光の波長より小さい開口幅からしみだす光によって、感光材料に焼き付けを行う焼き付け方法において、前記マスク基板に対して直線偏光の光を少なくとも2方向から照射し、前記マスク基板の開口方向と照射する光の偏光方向の違いによる該マスク基板からしみだす光の生じ方が異なる現象を避けるようにして、焼き付けを行うことを特徴とする焼き付け方法。
IPC (4件)：
H01L 21/027
, G03F 1/16
, G03F 7/20 501
, G03F 7/20 521
H01L 21/30 502 P
, G03F 1/16 E
, G03F 7/20 501
, G03F 7/20 521
, H01L 21/30 527
, H01L 21/30 528
