特許
J-GLOBAL ID:200903037162849405
ナノ構造およびそれを実施する光起電力セル
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (7件):
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
, 荒川 伸夫
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-540017
公開番号(公開出願番号):特表2009-507397
出願日: 2006年08月22日
公開日(公表日): 2009年02月19日
要約:
ナノ構造および光起電力構造を開示する。また、ナノ構造を作製するための方法も示す。
請求項(抜粋):
光起電力ナノ構造のアレイ;および
少なくとも半透明な光起電力デバイス
を備える光起電力構造であって、
前記アレイは、前記光起電力デバイスを透過する光が前記アレイを照らすように前記光起電力デバイスに対して位置している、光起電力構造。
IPC (1件):
FI (2件):
H01L31/04 B
, H01L31/04 E
Fターム (3件):
5F051AA05
, 5F051AA10
, 5F051DA01
引用特許:
審査官引用 (11件)
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太陽電池およびその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-249184
出願人:株式会社日立製作所
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特開平4-296060
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特開平3-151672
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引用文献:
審査官引用 (2件)
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Aligned Single-Crystalline Si Nanowire Arrays for Photovoltaic Applications
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Aligned Single-Crystalline Si Nanowire Arrays for Photovoltaic Applications
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