特許

J-GLOBAL ID：200903037195515219

半導体装置及びその製造方法

発明者： 山内 経則 ,  中村 俊二
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-036040
公開番号（公開出願番号）：特開2005-228906
出願日： 2004年02月13日
公開日（公表日）： 2005年08月25日
要約：

【課題】 fmaxと電力利得の双方を向上させ、携帯電話や無線LANに代表される高周波電力増幅器の基本素子として、高効率で高周波動作を可能とする高性能のLDMOSトランジスタを実現する。【解決手段】 多結晶シリコンとAl間における置換反応を利用する。即ち、先ず従来と同様に多結晶シリコン膜4をパターン形成し、層間絶縁膜4上に多結晶シリコン膜と接触するようにAl膜を形成した後、熱処理することにより、層間絶縁膜9内の多結晶シリコン膜9をAlで置換する。これをパターニングすることにより、ゲート寄生抵抗の低く移動度の高いAlからなるゲート電極23が形成される。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

半導体基板と、 前記半導体基板の上方に形成されたゲート電極と、 前記ゲート電極の両側における前記半導体基板の表層に形成されてなる一対の不純物拡散層と、 前記ゲート電極と一方の前記不純物拡散層との間における前記半導体基板の表層に、前記不純物拡散層と同一の導電型として形成されてなるドリフト層と、 を含み、 前記ゲート電極は、アルミニウムを含む金属を材料としてオーバーハング形状に形成されてなることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49

FI (2件)：

H01L29/78 301D ,  H01L29/58 G

Fターム (55件)：

4M104BB02 ,  4M104BB30 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD78 ,  4M104DD94 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH16 ,  5F140AA01 ,  5F140AA11 ,  5F140AA40 ,  5F140AC21 ,  5F140BA01 ,  5F140BC06 ,  5F140BC17 ,  5F140BE07 ,  5F140BF01 ,  5F140BF05 ,  5F140BF42 ,  5F140BF54 ,  5F140BG04 ,  5F140BG26 ,  5F140BG30 ,  5F140BG33 ,  5F140BG38 ,  5F140BG40 ,  5F140BH14 ,  5F140BH17 ,  5F140BH19 ,  5F140BH30 ,  5F140BH43 ,  5F140BJ10 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15 ,  5F140BJ23 ,  5F140BJ25 ,  5F140BJ28 ,  5F140BK03 ,  5F140BK05 ,  5F140BK13 ,  5F140BK20 ,  5F140BK26 ,  5F140BK29 ,  5F140BK39 ,  5F140CC03 ,  5F140CC12 ,  5F140CD00 ,  5F140CD08 ,  5F140CE06 ,  5F140CE07 ,  5F140CE08

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-283168   出願人：株式会社日立製作所

審査官引用 (5件)

• 特開昭58-089865
  
• 電界効果トランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-013067   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-283168   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-192011   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-213883   出願人：株式会社東芝