特許

J-GLOBAL ID：200903037233427264

ダイヤモンドのオーム性接合部の形成方法

発明者： 坪内 信輝 ,  小倉 政彦 ,  堀野 裕治 ,  大串 秀世
出願人/特許権者： 独立行政法人産業技術総合研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-048140
公開番号（公開出願番号）：特開2006-237179
出願日： 2005年02月24日
公開日（公表日）： 2006年09月07日
要約：

【課題】ダイヤモンド上に、オーミック接合部を容易に形成することができる方法を提供することを目的とする。 【解決手段】真空槽(2)にて、ダイヤモンド基板(1)上の所定領域にレーザー光を照射しながら、その同じ所定領域に不純物のイオンビームを注入して導電層を形成するステップと、その導電層上に金属電極を形成するステップとを含むことを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ダイヤモンド表面の所定領域にレーザー光を照射しながら該所定領域に不純物をイオン注入して導電層を形成するステップを含むことを特徴とするダイヤモンドのオーム性接合部の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/28 ,  H01S 3/00

FI (3件)：

H01L21/28 A ,  H01L21/28 301B ,  H01S3/00 A

Fターム (10件)：

4M104AA10 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104DD22 ,  4M104DD34 ,  4M104DD78 ,  4M104FF13 ,  4M104HH15 ,  5F172AD06 ,  5F172ZZ02

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 不純物イオン注入層の活性化法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-090747   出願人：独立行政法人産業技術総合研究所, 田中保宣, 荒井和雄, 田上尚男, 小林直人
• 半導体ダイヤモンド層に対する耐熱性オーミック電極及びその形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-060654   出願人：株式会社神戸製鋼所
• 半導体ダイヤモンドの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-198590   出願人：松下電器産業株式会社
• ダイヤモンドへのイオン注入法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-036498   出願人：独立行政法人産業技術総合研究所