半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：高田守 , 高橋英樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-129986
公開番号（公開出願番号）：特開2004-335756
出願日： 2003年05月08日
公開日（公表日）： 2004年11月25日
要約：

【課題】膜中にボイドがない高品質なSiGe薄膜をゲート絶縁膜上に形成する。【解決手段】シリコン基板2上にゲート絶縁膜6としてのSiO2膜を介して形成されたゲート電極を有する半導体装置であって、ゲート電極は、ゲート絶縁膜6上に形成されたシードSi膜8と、シードSi膜8上に形成され、膜厚が50nm以下であるSiGe薄膜10と、SiGe薄膜10上に形成され、膜厚が0.5nm〜5nmであるキャップSi薄膜12とを備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上にゲート絶縁膜を介して形成されたSiGe薄膜を含むゲート電極を有する半導体装置であって、前記ゲート電極が、前記ゲート絶縁膜上に形成されたシードSi膜と、前記シードSi膜上に形成されたSiGe薄膜と、前記SiGe薄膜上に形成され、膜厚が0.5nm〜5nmであるキャップSi薄膜と、を備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L29/78 , H01L21/28 , H01L29/423 , H01L29/49

FI (3件)：

H01L29/78 301G , H01L21/28 301A , H01L29/58 G

Fターム (40件)：

4M104AA01 , 4M104BB01 , 4M104CC05 , 4M104DD43 , 4M104DD45 , 4M104EE03 , 4M104EE14 , 4M104EE16 , 4M104EE17 , 4M104FF13 , 4M104GG08 , 4M104GG09 , 4M104HH20 , 5F140AA00 , 5F140AA01 , 5F140AA24 , 5F140AA39 , 5F140AC39 , 5F140BA01 , 5F140BD07 , 5F140BD09 , 5F140BD11 , 5F140BD13 , 5F140BE07 , 5F140BE09 , 5F140BE10 , 5F140BE16 , 5F140BF04 , 5F140BF14 , 5F140BF21 , 5F140BF22 , 5F140BF24 , 5F140BF28 , 5F140BG28 , 5F140BG38 , 5F140BK13 , 5F140CB01 , 5F140CB04 , 5F140CB08 , 5F140CE10

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-226559 出願人：松下電器産業株式会社
MIS型半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-138092 出願人：日本電気株式会社
シリコン-ゲルマニウム膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-376891 出願人：株式会社ハイニックスセミコンダクター

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