単一方向電流磁化反転磁気抵抗効果素子と磁気記録装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：井上学 , 戸田裕二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-326700
公開番号（公開出願番号）：特開2009-152258
出願日： 2007年12月19日
公開日（公表日）： 2009年07月09日
要約：

【課題】単一方向の書き込み電流で書き込みを行うメモリを実現する。【解決手段】磁気抵抗効果素子(磁化方向が固定されている第1の強磁性層と、磁化方向が可変である第2の強磁性層と、磁化方向が可変である第3の強磁性層と、前記第1の強磁性層と前記第2の強磁性層との間にある第1の非磁性層と、前記第2の強磁性層と前記第3の強磁性層との間にある第2の非磁性層とを備える)の膜厚方向にパルス幅の異なる書き込み電流を印加し、前記第2の強磁性層または前記第3の強磁性層のいずれか一方の磁化方向をスピントランスファートルク磁化反転させる。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

磁化方向が固定されている第1の強磁性層と、磁化方向が可変である第2の強磁性層と、磁化方向が可変である第3の強磁性層と、前記第1の強磁性層と前記第2の強磁性層との間にある第1の非磁性層と、前記第2の強磁性層と前記第3の強磁性層との間にある第2の非磁性層とを備える磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子の膜厚方向に電流を印加する手段とを備え、前記第2の強磁性層の磁化方向と前記第3の強磁性層の磁化方向は略反平行であり、書き込み動作時には、電流パルス幅の異なる電流を前記磁気抵抗効果素子の膜厚方向に印加して、前記第2の強磁性層または前記第3の強磁性層のいずれか一方にスピントランスファートルクが働き磁化反転させることを特徴とするメモリ素子。

IPC (4件)：

H01L 21/824 , H01L 27/105 , H01L 43/08 , G11C 11/15

FI (3件)：

H01L27/10 447 , H01L43/08 Z , G11C11/15 140

Fターム (24件)：

4M119AA11 , 4M119BB01 , 4M119BB03 , 4M119CC05 , 4M119DD05 , 4M119DD06 , 4M119DD09 , 4M119DD37 , 4M119DD42 , 4M119EE22 , 4M119EE27 , 5F092AB07 , 5F092AC12 , 5F092AD25 , 5F092BB17 , 5F092BB22 , 5F092BB23 , 5F092BB35 , 5F092BB36 , 5F092BB42 , 5F092BB43 , 5F092BC07 , 5F092BC08 , 5F092EA05

引用特許：

審査官引用 (4件)

記憶素子及びメモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-318464 出願人：ソニー株式会社
磁気RAM、磁気RAMの記録方法及び磁気RAMの読取方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-150182 出願人：三星電子株式会社
磁気抵抗ラム
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-352526 出願人：株式会社ハイニックスセミコンダクター

全件表示

前のページに戻る