特許
J-GLOBAL ID：200903051269320213
磁気抵抗ラム
発明者：
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人共生国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-352526
公開番号（公開出願番号）：特開2003-204046
出願日： 2002年12月04日
公開日（公表日）： 2003年07月18日
要約：
【要約】【課題】 ワードラインとP-Nダイオードとの間にMTJ(MagneticTunnel Junction)を結合して2つ以上のデータを記憶させ、構造が簡単でセルサイズが小さいセルを具現し、さらに、ビットラインとセルプレートとの間に複数個のセルをNAND型に連結してセルアレイを具現することにより、簡単な構造の磁気抵抗ラム(MRAM)を具現する。【解決手段】 半導体基板内の複数のN+領域に複数のP-Nダイオードを形成し、P型不純物領域の上に、バリヤー導電層、MTJ、及びワードラインを積層してMRAMセルアレイとし、N+領域の一端はビットラインと連結し、他端はダイオードを介してセルプレートと接続する。
請求項（抜粋）：
半導体基板にドーピングされたN+領域、前記N+領域のライン上にドーピングされたP型の不純物領域でなるP-Nダイオード、前記P型の不純物領域の上に積層されたバリヤー導電層、及び前記バリヤー導電層とワードラインとの間に備えられたMTJ、で構成されるMRAMセルを備え、前記ワードラインに印加される電圧の大きさに従って前記MTJに流れる電流を制御し、前記MRAMセルにデータを書き込む/読み出すことを特徴とする磁気抵抗ラム。
IPC (3件)：
H01L 27/105
, G11C 11/15 130
, H01L 43/08
G11C 11/15 130
, H01L 43/08 Z
, H01L 27/10 447
5F083FZ10
, 5F083GA09
, 5F083HA02
, 5F083KA05
, 5F083LA03
, 5F083LA12
