プラズマエッチング装置を用いた基板の高速度エッチングのための装置及び方法並びにプラズマ点火とプラズマ電力の引上げ制御ないしパルス化のための装置及び方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：矢野敏雄 (外4名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-505050
公開番号（公開出願番号）：特表2003-502861
出願日： 2000年06月16日
公開日（公表日）： 2003年01月21日
要約：

【要約】本発明は、プラズマ(14)を用いた、基板(10)、特に構造化されたシリコン基板の有利には異方性エッチングのための装置である。この場合プラズマは、プラズマ生成源(13)を用いて形成され、このプラズマ生成源には高周波電力の印加のために高周波発生器(17)が接続されている。高周波生成源にはさらに、プラズマ生成源(13)に印加する高周波電力に周期的な変化を生じさせる第1の手段が接続されている。その他にもそのつどの高周波電力の作用として変化するプラズマ発生源(13)のインピーダンスに前記高周波発生器(17)の出力インピーダンスを整合させる第2の手段が設けられている。前記異方性エッチング方法は、交互に別個のエッチングステップと重合ステップにおいて実施され、エッチングステップ期間中には少なくとも時折、デポジションステップ期間の時よりも高い5000Wまでの高周波電力がパルス生成源に印加される。

請求項（抜粋）：

プラズマ(14)を用いた、基板(10)、特に構造化されたシリコン基板のエッチングのための装置であって、高周波発生器(17)を用いて高周波電力が印加可能である、高周波な交番電磁界を形成するためのプラズマ生成源(13)と、反応性ガスもしくは反応性ガス混合気と高周波交番電磁界との作用により反応性粒子からプラズマ(14)を生成するための反応炉(15)を有している形式のものにおいて、プラズマ生成源(13)に印加する高周波電力に周期的な変化を生じさせる第1の手段が設けられていることを特徴とする装置。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 , H05H 1/46

FI (2件)：

H05H 1/46 A , H01L 21/302 B

Fターム (11件)：

5F004BA20 , 5F004BB13 , 5F004CA02 , 5F004CA03 , 5F004CA07 , 5F004CA08 , 5F004DA00 , 5F004DA18 , 5F004DA26 , 5F004DB01 , 5F004EA28

引用特許：

審査官引用 (6件)

プラズマ処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-177071 出願人：松下電子工業株式会社
プラズマエッチング方法及びその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-066821 出願人：国際電気株式会社
プラズマ処理方法及び装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-235276 出願人：松下電器産業株式会社

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