特許

J-GLOBAL ID：200903037346378340

シリコンナノワイヤに基づくトンネル効果トランジスタ

発明者： アンネ・エス・フェルフルスト
出願人/特許権者： アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ
代理人 (3件)： 山田 卓二 ,  田中 光雄 ,  中野 晴夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-218542
公開番号（公開出願番号）：特開2008-072104
出願日： 2007年08月24日
公開日（公表日）： 2008年03月27日
要約：

【課題】トンネル電界効果トランジスタ(TFET)は、金属酸化物半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の後継者と考えられるが、シリコンベースのTFETは一般に低いオン電流、トンネルバリアの大きな抵抗に関する欠点を有する。【解決手段】より高いオン電流を達成するために、他のシリコン(Si)チャネル中にゲルマニウム(Ge)トンネルバリアを備えたナノワイヤベースのTFETが用いられる。ナノワイヤは、シリコンとゲルマニウムの間の格子不整合が、高い欠陥のある界面とならないように導入される。従来のMOSFET構造に比較して、静的電力の低減と共に動的電力の低減が得られる。これにより、多層ロジックは、ナノワイヤSi/GeTFETを用いることで、非常に高いオンチップトランジスタ密度となる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

少なくとも1つのナノワイヤを含むトンネル電界効果トランジスタ半導体装置であって、ナノワイヤが、 第1導電型に高ドープされた第1半導体材料からなるソース領域(2)と、 第2導電型に高ドープされた第1半導体材料からなるドレイン領域(5)と、 第2導電型に低ドープされた第1半導体材料からなり、ソース領域とドレイン領域との間に配置されたチャネル領域(4)と、 第1半導体材料とは異なった格子定数を有する材料からなり、ソース領域またはドレイン領域とチャネル領域との間に配置されたヘテロセクション(9)とを含み、 ナノワイヤのチャネル領域上にゲート構造を有し、ゲート構造は、ゲート誘電体(8)と、その上に配置されたゲートコンタクト(7)とを含むトンネル電界効果トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/66

FI (6件)：

H01L29/78 622 ,  H01L29/78 626 ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618C ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/66 T

Fターム (86件)：

4M104AA01 ,  4M104AA02 ,  4M104AA03 ,  4M104AA04 ,  4M104AA06 ,  4M104AA07 ,  4M104AA09 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB14 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB25 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD78 ,  4M104DD91 ,  4M104EE03 ,  4M104EE16 ,  4M104FF01 ,  4M104GG00 ,  5F110AA01 ,  5F110AA04 ,  5F110AA06 ,  5F110AA07 ,  5F110AA09 ,  5F110BB03 ,  5F110BB13 ,  5F110CC09 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD11 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE06 ,  5F110EE08 ,  5F110EE09 ,  5F110EE22 ,  5F110EE24 ,  5F110EE30 ,  5F110EE42 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF04 ,  5F110FF27 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG04 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG34 ,  5F110GG35 ,  5F110GG42 ,  5F110GG44 ,  5F110GG57 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ16 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK05 ,  5F110HK06 ,  5F110HK08 ,  5F110HK09 ,  5F110HK11 ,  5F110HK14 ,  5F110HK21 ,  5F110HK27 ,  5F110HK32 ,  5F110HK34 ,  5F110HM12

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 米国特許出願2005/0274992
  

審査官引用 (3件)

• ナノ構造体およびその製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2004-518992   出願人：ビーティージー・インターナショナル・リミテッド
• 電界効果トランジスタ
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2002-507461   出願人：インフィネオンテクノロジーズアクチエンゲゼルシャフト
• 半導体ナノワイヤトランジスタ
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2008-516797   出願人：クナノアーベー

引用文献：

審査官引用 (1件)

• "A Simulation Approach to Optimize the Electrical Parameters of a Vertical Tunnel FET"