特許
J-GLOBAL ID：200903037373943955

磁気記憶装置、磁気記憶装置の製造方法および半導体集積回路装置

発明者：
庄子 光治

庄子 光治 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-030577
公開番号（公開出願番号）：特開2007-214229
出願日： 2006年02月08日
公開日（公表日）： 2007年08月23日
要約：
【課題】トンネルバリア層の腐食、トンネルバリア層への反応生成物の付着を防止することで、磁気トンネル接合素子の高集積化による磁気記憶装置の大容量化を可能とする。【解決手段】参照層21、トンネルバリア層22および記録層23が順に積層されたもので、電流によるスピン注入磁化反転で前記記録層23に情報が書き込まれ、電流によって前記記録層23に書き込まれた情報が読み出される磁気トンネル接合素子20を備えた磁気記憶装置1において、前記磁気トンネル接合素子20は、選択トランジスタに接続されたプラグ31上に配置され、前記磁気トンネル接合素子20の記録層23側部を被覆するサイドウォール絶縁膜24が形成されていることを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
参照層、トンネルバリア層および記録層が順に積層されたもので、電流によるスピン注入磁化反転で前記記録層に情報が書き込まれ、電流によって前記記録層に書き込まれた情報が読み出される磁気トンネル接合素子を備えた磁気記憶装置において、 前記磁気トンネル接合素子は、選択トランジスタに接続されたプラグ上に配置され、 前記磁気トンネル接合素子の記録層側部を被覆するサイドウォール絶縁膜が形成されている ことを特徴とする磁気記憶装置。
IPC (4件)：
H01L 43/08 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 29/82
FI (3件)：
H01L43/08 H ,  H01L27/10 447 ,  H01L29/82 Z
Fターム (12件)：
5F083FZ10 ,  5F083GA09 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA56 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083PR07 ,  5F083PR10
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (5件)
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