特許
J-GLOBAL ID：200903037386288077
不揮発性半導体記憶装置及びその制御方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
政木 良文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-013209
公開番号（公開出願番号）：特開2006-202411
出願日： 2005年01月20日
公開日（公表日）： 2006年08月03日
要約：
【課題】 電気的ストレスによる電気抵抗の変化により情報を記憶する可変抵抗素子を備えてなるメモリセルを行方向及び列方向に夫々複数配列してなるメモリセルアレイを備えた不揮発性半導体記憶装置において、可変抵抗素子の記憶状態のバラツキを抑制可能で、高性能なメモリ動作を実現する不揮発性半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 可変抵抗素子が、電気的ストレスの積算印加時間の増加に対して抵抗値が単調に変化する領域において、抵抗値の時間変化率の絶対値が積算印加時間の増加に対して極大値を有し、極大値を通過後に所定値以下となる抵抗変化特性を有し、選択メモリセルに対する情報の書き込み動作において、可変抵抗素子の抵抗値が、抵抗値の時間変化率の絶対値が極大値を通過後に所定値以下となる抵抗値範囲に含まれる第1領域R1内にある場合を書き込み状態として書き込み制御を行う。【選択図】 図5
請求項（抜粋）：
電気的ストレスによる電気抵抗の変化により情報を記憶する可変抵抗素子を備えてなるメモリセルを行方向及び列方向に夫々複数配列してなるメモリセルアレイと、
前記メモリセルアレイの中から少なくとも1つの前記メモリセルを選択するメモリセル選択回路と、
前記メモリセル選択回路により選択された選択メモリセルの前記可変抵抗素子に対する情報の書き込み、消去、及び、読み出しの制御を行う制御回路と、
前記選択メモリセルに印加する書き込み電圧、消去電圧、及び、読み出し電圧を生成するための複数の電圧を切り替えて前記メモリセルアレイに供給する電圧スイッチ回路と、
前記メモリセルから情報の読み出しを行う読み出し回路と、を少なくとも備えてなる不揮発性半導体記憶装置であって、
前記可変抵抗素子が、電気的ストレスの積算印加時間の増加に対して抵抗値が単調に変化する領域において、前記抵抗値の時間変化率の絶対値が前記積算印加時間の増加に対して極大値を有し、前記極大値を通過後に所定値以下となる抵抗変化特性を有し、
前記制御回路が、前記選択メモリセルに対する情報の書き込み動作において、前記可変抵抗素子の抵抗値が、前記抵抗値の時間変化率の絶対値が前記極大値を通過後に前記所定値以下となる抵抗値範囲に含まれる第1領域内にある場合を書き込み状態として書き込み制御を行うことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (3件)：
G11C 13/00
, G11C 29/56
, H01L 27/10
G11C13/00 A
, G11C29/00 653
, H01L27/10 451
5F083FZ10
, 5F083GA11
, 5F083JA21
, 5F083JA38
, 5F083JA43
, 5F083JA45
, 5L106DD03
, 5L106DD25
, 5L106DD26
