特許
J-GLOBAL ID：200903037458364946

半導体素子

発明者：
船戸 健次

船戸 健次 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-036482
公開番号（公開出願番号）：特開2004-247563
出願日： 2003年02月14日
公開日（公表日）： 2004年09月02日
要約：
【課題】所望のインジウム組成を有する半導体層を備え、青色光または緑色光を発生する発光素子に好適な半導体素子を提供する。【解決手段】サファイアよりなる基板11に、低温バッファ層12および下地層13を介して、活性層17を含む各層が積層されている。活性層17は全体としてAlGaInN混晶よりなる量子井戸構造を有し、井戸層のインジウム組成は例えば14%以上となっている。下地層13は、GaInN混晶よりなると共に活性層17の井戸層との格子定数差が1%以内となっている。従来のGaNよりなるバッファ層に比べて下地層13の格子定数が活性層17の格子定数に近くなり、結晶成長の際に活性層17に欠陥を生じることなくインジウムが取り込まれやすくなる。また、活性層17に導入される歪みが少なくなり、シュタルク効果が発現しにくくなる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板と、 この基板の一面側に設けられ、3B族元素のうちの少なくともガリウム(Ga)およびインジウム(In)と5B族元素のうちの少なくとも窒素(N)とを含む窒化物系III-V族化合物半導体よりなる半導体層と、 3B族元素のうちの少なくともガリウム(Ga)およびインジウム(In)と5B族元素のうちの少なくとも窒素(N)とを含む窒化物系III-V族化合物半導体よりなると共に前記半導体層との格子定数差が1%以内であり、前記半導体層と前記基板との間に設けられた下地層と を備えたことを特徴とする半導体素子。
IPC (1件)：
H01S5/343
FI (1件)：
H01S5/343 610
Fターム (21件)：
5F073AA03 ,  5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA52 ,  5F073AA55 ,  5F073AA61 ,  5F073AA65 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073CA17 ,  5F073CB02 ,  5F073CB05 ,  5F073CB08 ,  5F073CB10 ,  5F073CB19 ,  5F073CB22 ,  5F073DA05 ,  5F073DA06 ,  5F073DA35 ,  5F073EA23 ,  5F073EA28
引用特許：
審査官引用 (4件)
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