特許
J-GLOBAL ID：200903065092975045

窒化ガリウム系化合物半導体素子

発明者：
小出 典克

小出 典克 について

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小池 正好

小池 正好 について

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浅見 慎也

浅見 慎也 について

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梅崎 潤一

梅崎 潤一 について


出願人/特許権者：
豊田合成株式会社

豊田合成株式会社 について


代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-123514
公開番号（公開出願番号）：特開平10-303458
出願日： 1997年04月24日
公開日（公表日）： 1998年11月13日
要約：
【要約】【課題】GaN 系化合物半導体素子の長波長化及び高出力化を実現すること。【解決手段】サファイア基板10の上には,AlNから成るバッファ層11,In0.20Ga0.80Nから成る熱膨張緩和層12,SiドープのGaNから成る高キャリア濃度n+層13,Al0.15Ga0.85Nから成る歪み層14,GaNから成るバリア層151とIn0.20Ga0.80Nから成る井戸層152とが交互に積層された多重量子井戸構造の発光層15,p型Al0.15Ga0.85Nから成るクラッド層16,p型GaNから成るコンタクト層17,及びCoとAuとから成る透光性の電極18A が順次積層されている。エッチングにより露出したn+層13上にはVとAlとから成る電極18B が形成されている。発光層15と異なる格子定数を有する歪み層14が発光層15の下側に設けられることにより, 格子定数差による歪みが発光層15に付与され,発光波長が長波長化する。又,熱膨張緩和層12を設けることにより基板10の熱膨張による影響を除去でき, 高出力化できる。
請求項（抜粋）：
活性層と異なる格子定数を有した第1の半導体層が前記活性層の基板側に設けられることにより、前記活性層と前記第1の半導体層との格子定数差により前記活性層に対して歪みが付与され、前記基板の熱膨張による前記活性層への歪みの影響を緩和する第2の半導体層が前記第1の半導体層に対して前記基板側に設けられたことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体素子。
引用特許：
審査官引用 (6件)
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