特許

J-GLOBAL ID：200903037536174474

密度不均一多層膜解析方法ならびにその装置およびシステム

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発明者： 伊藤 義泰 ,  表 和彦
出願人/特許権者： 理学電機株式会社
代理人 (1件)： 岡崎 謙秀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-165365
公開番号（公開出願番号）：特開2003-202305
出願日： 2002年06月06日
公開日（公表日）： 2003年07月18日
要約：

【要約】【課題】 密度不均一多層膜内の粒子状物の分布状態ならびに界面状態を簡易に、且つ高精度で解析することのできる、新しい密度不均一多層膜解析方法を提供する。【解決手段】 粒子状物の分布状態を示すフィッティングパラメータに従ってX線散乱曲線を表す散乱関数を用いることにより、実測X線散乱曲線の測定条件と同じ条件にてシミュレートX線散乱曲線を算出するステップと、フィッティングパラメータを変更しながらシミュレートX線散乱曲線と実測X線散乱曲線とのフィッティングを行うステップとを有し、シミュレートX線散乱曲線と実測X線散乱曲線が一致したときのフィッティングパラメータの値を密度不均一多層膜内の粒子状物の分布状態とすることにより、密度不均一多層膜内の粒子状物の分布状態を解析する密度不均一多層膜解析方法において、散乱関数として、界面での散乱のない多層膜の厳密解を始状態および終状態とした遷移確率を導入した関数を用いる。

請求項（抜粋）：

粒子状物の分布状態を示すフィッティングパラメータに従ってX線散乱曲線を表す散乱関数を用いることにより、実測X線散乱曲線の測定条件と同じ条件にてシミュレートX線散乱曲線を算出するステップと、フィッティングパラメータを変更しながらシミュレートX線散乱曲線と実測X線散乱曲線とのフィッティングを行うステップとを有し、シミュレートX線散乱曲線と実測X線散乱曲線が一致したときのフィッティングパラメータの値を密度不均一多層膜内の粒子状物の分布状態とすることにより、密度不均一多層膜内の粒子状物の分布状態を解析する密度不均一多層膜解析方法であって、散乱関数として、多層膜の厳密解を始状態および終状態とした遷移確率を導入した関数を用いることを特徴とする密度不均一多層膜解析方法。

Fターム (9件)：

2G001AA01 ,  2G001BA11 ,  2G001BA14 ,  2G001CA01 ,  2G001GA13 ,  2G001HA01 ,  2G001KA10 ,  2G001KA12 ,  2G001MA05