特許
J-GLOBAL ID：200903037592608436
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-274884
公開番号（公開出願番号）：特開2004-111795
出願日： 2002年09月20日
公開日（公表日）： 2004年04月08日
要約：
【課題】配線溝の上端角部が削れることなく埋込み配線を形成する。【解決手段】下層配線としての配線20が埋め込まれた絶縁膜上に、低誘電率材料からなる絶縁膜22および25を含む絶縁膜21〜28を形成する。絶縁膜28上に第1フォトレジストパターンを形成し、絶縁膜25〜28を選択的に除去してビア用の開口部30を形成する。絶縁膜28上に第2フォトレジストパターンを形成し、絶縁膜28を選択的に除去して開口部30を含む領域に配線溝用の開口部32を形成する。開口部32から露出する絶縁膜26および27と、開口部30から露出する絶縁膜23および24とを除去する。それから、開口部32から露出する絶縁膜25と、開口部30から露出する絶縁膜22とを除去する。絶縁膜28と、開口部30の底部で露出する絶縁膜21を除去した後、開口部30および32内に銅配線を形成する。【選択図】 図15
請求項（抜粋）：
以下の工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法;
(a)半導体基板を準備する工程、
(b)前記半導体基板上に第1絶縁膜を形成する工程、
(c)前記第1絶縁膜上に第2絶縁膜を形成する工程、
(d)前記第2絶縁膜上に第3絶縁膜を形成する工程、
(e)前記第3絶縁膜上に第4絶縁膜を形成する工程、
(f)前記第4絶縁膜上に第5絶縁膜を形成する工程、
(g)前記第5絶縁膜を選択的に除去して第1開口部を形成する工程、
(h)前記第1開口部から露出する前記第4絶縁膜を除去する工程、
(i)前記第5絶縁膜を選択的に除去して、前記第1開口部を含む領域に第2開口部を形成する工程、
(j)前記第1開口部から露出する前記第3絶縁膜を除去する工程、
(k)前記第1開口部から露出する前記第2絶縁膜と前記第2開口部から露出する前記第4絶縁膜とを除去する工程、
(l)前記第1開口部および第2開口部内に第1配線を形成する工程。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/88 K
, H01L21/90 J
5F033HH11
, 5F033HH12
, 5F033HH18
, 5F033HH19
, 5F033HH21
, 5F033HH23
, 5F033HH27
, 5F033HH28
, 5F033HH30
, 5F033HH32
, 5F033HH33
, 5F033HH34
, 5F033JJ11
, 5F033JJ12
, 5F033JJ18
, 5F033JJ19
, 5F033JJ27
, 5F033JJ28
, 5F033JJ30
, 5F033JJ32
, 5F033JJ33
, 5F033JJ34
, 5F033KK01
, 5F033KK11
, 5F033KK12
, 5F033KK25
, 5F033KK27
, 5F033KK28
, 5F033KK30
, 5F033KK32
, 5F033KK33
, 5F033KK34
, 5F033MM01
, 5F033MM02
, 5F033MM05
, 5F033MM12
, 5F033MM13
, 5F033NN06
, 5F033NN07
, 5F033PP06
, 5F033PP15
, 5F033PP27
, 5F033QQ01
, 5F033QQ04
, 5F033QQ09
, 5F033QQ11
, 5F033QQ25
, 5F033QQ28
, 5F033QQ37
, 5F033QQ48
, 5F033QQ70
, 5F033QQ73
, 5F033QQ75
, 5F033QQ90
, 5F033RR04
, 5F033RR06
, 5F033RR08
, 5F033RR21
, 5F033RR25
, 5F033RR29
, 5F033SS01
, 5F033SS03
, 5F033SS11
, 5F033SS15
, 5F033SS21
, 5F033TT02
, 5F033TT04
, 5F033XX24
, 5F033XX28
