特許
J-GLOBAL ID：200903037601333062

半導体装置

発明者：
牧田 直樹

牧田 直樹 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 青山 葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-361812
公開番号（公開出願番号）：特開2003-197529
出願日： 2000年08月25日
公開日（公表日）： 2003年07月11日
要約：
【要約】【課題】 触媒元素を用いて結晶化させたケイ素膜を半導体装置の活性領域として利用し、結晶化後の素子領域内の触媒元素を十分に低減でき、高性能で高信頼性の半導体装置を提供する【解決手段】 この半導体装置は、絶縁基板101上に形成された非晶質ケイ素膜103にその結晶化を促進する触媒元素ニッケル104を導入し、加熱処理によって結晶成長させた。その後、ケイ素膜103の-部に、選択的に5族Bから選ばれた元素リン108を導入し、高速熱アニール処理を行い、上記リン108が導入された領域に、上記触媒元素ニッケル104を移動させる。そして、その5族Bから選ばれた元素が導入された領域以外の領域のケイ素膜を用いて、半導体装置の能動(チャネル)領域を形成する。このことで、半導体装置の能動領域における残留触媒元素量を大きく低減できる。
請求項（抜粋）：
絶縁表面を有する基板上に、結晶化を促進する触媒元素を導入して結晶化された活性領域を有する半導体装置であって、上記活性領域に形成され、5族Bから選ばれた元素が導入された5族B元素導入領域を有し、上記5族B元素導入領域は、非晶質領域と結晶領域とのラマンピーク比において上記非晶質領域のピークが現われていることを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 21/20 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/322 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786
FI (5件)：
H01L 21/20 ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/322 R ,  H01L 29/78 627 G ,  H01L 29/78 627 Z
Fターム (83件)：
4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB30 ,  4M104BB39 ,  4M104CC05 ,  4M104DD37 ,  4M104GG20 ,  5F052AA02 ,  5F052AA11 ,  5F052AA17 ,  5F052BA02 ,  5F052BA04 ,  5F052BB01 ,  5F052BB07 ,  5F052DA02 ,  5F052DB02 ,  5F052DB03 ,  5F052EA16 ,  5F052FA06 ,  5F052FA19 ,  5F052HA01 ,  5F052JA01 ,  5F052JA04 ,  5F110AA01 ,  5F110AA06 ,  5F110BB01 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110BB10 ,  5F110BB11 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD13 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE34 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110FF32 ,  5F110FF36 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG33 ,  5F110GG35 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL01 ,  5F110HL03 ,  5F110HL07 ,  5F110HL11 ,  5F110HM14 ,  5F110NN02 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110NN72 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110PP23 ,  5F110PP29 ,  5F110PP34 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ23 ,  5F110QQ24 ,  5F110QQ28
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 半導体装置の作製方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-044574   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
  • 半導体装置の作製方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-048488   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
審査官引用 (2件)

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