特許
J-GLOBAL ID：200903087997690161

ゲッタリングサイト層を有する半導体装置及びその製造方法

発明者：
堀川 貢弘

堀川 貢弘 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-311515
公開番号（公開出願番号）：特開2000-138225
出願日： 1998年11月02日
公開日（公表日）： 2000年05月16日
要約：
【要約】【課題】 デバイスの動作領域等に存在する重金属汚染元素を低減することができ、これにより、接合リーク特性を向上させることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 p型半導体基板1の表面にn型拡散層5a及び5bを形成した後、n型拡散層5a及び5bの上にポリシリコン層10aとポリシリコン層10bとを順次形成して、ゲッタリングサイト層とする。このとき、上層となるポリシリコン層10bは下層となるポリシリコン層10aよりもポリシリコン粒径が小さくなる条件で形成して、ポリシリコン層10bのゲッタリング能力をポリシリコン層10aと比較して高くする。
請求項（抜粋）：
第1導電型半導体基板と、前記半導体基板の表面に形成された第2導電型拡散層と、前記第2導電型拡散層の上に形成された複数のポリシリコン層を有するゲッタリングサイト層と、を有し、前記複数のポリシリコン層のうち前記第2導電型拡散層に接触して形成されたポリシリコン層を除く位置のポリシリコン層はその直下のポリシリコン層よりもゲッタリング能力が高いものであることを特徴とするゲッタリングサイト層を有する半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 21/322 ,  H01L 21/225 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242
FI (4件)：
H01L 21/322 P ,  H01L 21/225 P ,  H01L 21/28 301 A ,  H01L 27/10 621 Z
Fターム (18件)：
4M104BB01 ,  4M104CC01 ,  4M104DD06 ,  4M104DD43 ,  4M104DD86 ,  4M104DD89 ,  4M104EE08 ,  4M104FF19 ,  4M104GG16 ,  4M104HH20 ,  5F083AD10 ,  5F083AD21 ,  5F083AD31 ,  5F083AD51 ,  5F083AD62 ,  5F083GA25 ,  5F083JA02 ,  5F083JA32
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (2件)

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