半導体不揮発性記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-007093
公開番号（公開出願番号）：特開平7-220486
出願日： 1994年01月26日
公開日（公表日）： 1995年08月18日
要約：

【要約】【目的】ある特定のワード線の累積サイクル数が限界値に達したことを知ることができ、また、累積サイクル数が限界値に達したとしてもメモリの延命を図れる半導体不揮発性記憶装置を実現する。【構成】ワード線セクタ消去を行うフラッシュEEPROMにおいて、メモリアレイ部1の正規メモリ部11のビット線に並列に不揮発性メモリが接続された補助ビット線を設け、この不揮発性メモリに各ワード線毎の累積書き換え・消去サイクル数を記録し、さらに記録された累積サイクル数からそのセクタのサイクル数が限界値に達したか否かの判別を行い、達している場合にはそのワード線を冗長ワード線に切り換えるように構成する。

請求項（抜粋）：

ワード線セクタ消去を行う半導体不揮発性記憶装置であって、各ワード線毎に、書き換え・消去サイクル数を記録する記録部を設け、書き換え・消去サイクル毎に各ワード線の累積サイクル数を記録する半導体不揮発性記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 16/06 , G11C 29/00 301

引用特許：

出願人引用 (10件)

不揮発性半導体メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-273375 出願人：株式会社東芝
特開昭63-292496
特開昭63-200398

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審査官引用 (7件)

不揮発性半導体メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-273375 出願人：株式会社東芝
特開昭63-292496
特開昭63-200398

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