特許
J-GLOBAL ID：200903037629242704
酸化シリコン及び酸窒化シリコンの低温堆積
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (4件)：
熊倉 禎男
, 大塚 文昭
, 今城 俊夫
, 西島 孝喜
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-529164
公開番号（公開出願番号）：特表2005-536055
出願日： 2003年08月18日
公開日（公表日）： 2005年11月24日
要約：
本発明は、有機シリコン前駆体及びオゾンから酸化シリコン及び/又は酸窒化シリコンを形成するための低温(すなわち、約450°C未満の)化学気相成長(CVD)プロセス及び低温原子層堆積(ALD)プロセスに関する。本発明のプロセスは、良好な段差被覆をもたらす。本発明を利用して、高k誘電体及び低k誘電体の両方を堆積させることができる。
請求項（抜粋）：
有機シリコン前駆体及びオゾンを、基板が置かれた堆積域に導入するステップを含むことを特徴とする、酸化シリコンを基板上に堆積させるための方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/316 X
, H01L21/318 C
5F058BA20
, 5F058BC02
, 5F058BC11
, 5F058BF02
, 5F058BF27
, 5F058BF29
, 5F058BF30
, 5F058BJ02
, 5F058BJ04
, 5F058BJ06
