特許

J-GLOBAL ID：200903037629242704

酸化シリコン及び酸窒化シリコンの低温堆積

発明者： 千崎 佳秀 ,  リー サン イン ,  リー サン キョウ
出願人/特許権者： アヴィザ テクノロジー インコーポレイテッド ,  インテグレイテッド プロセス システムズ リミテッド
代理人 (4件)： 熊倉 禎男 ,  大塚 文昭 ,  今城 俊夫 ,  西島 孝喜
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-529164
公開番号（公開出願番号）：特表2005-536055
出願日： 2003年08月18日
公開日（公表日）： 2005年11月24日
要約：

本発明は、有機シリコン前駆体及びオゾンから酸化シリコン及び/又は酸窒化シリコンを形成するための低温(すなわち、約450°C未満の)化学気相成長(CVD)プロセス及び低温原子層堆積(ALD)プロセスに関する。本発明のプロセスは、良好な段差被覆をもたらす。本発明を利用して、高k誘電体及び低k誘電体の両方を堆積させることができる。

請求項（抜粋）：

有機シリコン前駆体及びオゾンを、基板が置かれた堆積域に導入するステップを含むことを特徴とする、酸化シリコンを基板上に堆積させるための方法。

IPC (2件)：

H01L21/316 ,  H01L21/318

FI (2件)：

H01L21/316 X ,  H01L21/318 C

Fターム (10件)：

5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC11 ,  5F058BF02 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BJ02 ,  5F058BJ04 ,  5F058BJ06

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 酸化珪素膜の化学気相成長法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-220441   出願人：丸山敏朗
• 絶縁膜の成膜方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-061079   出願人：ソニー株式会社
• 化学気相成長法と化学気相成長装置および多層配線の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-320973   出願人：日本電気株式会社
• 絶縁膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-263807   出願人：ソニー株式会社
• 特開平1-152631
  
• 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-007885   出願人：ソニー株式会社