洗浄方法および洗浄装置

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：野▲崎▼ 照夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-072175
公開番号（公開出願番号）：特開平9-255998
出願日： 1996年03月27日
公開日（公表日）： 1997年09月30日
要約：

【要約】【課題】液晶基板やICなどの電子部品のウエット洗浄において、酸性やアルカリ性の溶液による基板の洗浄では、基板にダメージを与えてしまう。また、超純水は洗浄力が弱く、基板表面の付着物が除去されにくかった。【解決手段】オゾン水と酸性溶液またはアルカリ性溶液を混合して、酸化力があり且つ酸性の洗浄水?@または、酸化力があり且つアルカリ性の洗浄水?Bを生成する。また、水素水と酸性溶液またはアルカリ性溶液を混合して還元力があり且つアルカリ性の洗浄水?Aあるいは、還元力があり且つ酸性の洗浄水?Cを生成する。これらの洗浄水は洗浄力が高く、ORPやpHをそれぞれ調節できる。よって、被洗浄物の製造工程における付着物の種類に応じて洗浄水を選択でき、1つの洗浄水で複数種の付着物を洗浄できる。

請求項（抜粋）：

酸化力があり且つアルカリ性の洗浄水で被洗浄物を洗浄することを特徴とする洗浄方法。

IPC (9件)：

C11D 11/00 , B08B 3/08 , C11D 7/02 , C11D 7/18 , C11D 7/60 , C11D 7:18 , C11D 7:08 , C11D 7:02 , C11D 7:06

FI (5件)：

C11D 11/00 , B08B 3/08 A , C11D 7/02 , C11D 7/18 , C11D 7/60

引用特許：

審査官引用 (10件)

半導体基板のウエット処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-056109 出願人：日本電気株式会社
特開平2-164035
特開平1-099221

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