特許
J-GLOBAL ID:200903037635209646
洗浄方法および洗浄装置
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
,
代理人 (1件):
野▲崎▼ 照夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-072175
公開番号(公開出願番号):特開平9-255998
出願日: 1996年03月27日
公開日(公表日): 1997年09月30日
要約:
【要約】【課題】 液晶基板やICなどの電子部品のウエット洗浄において、酸性やアルカリ性の溶液による基板の洗浄では、基板にダメージを与えてしまう。また、超純水は洗浄力が弱く、基板表面の付着物が除去されにくかった。【解決手段】 オゾン水と酸性溶液またはアルカリ性溶液を混合して、酸化力があり且つ酸性の洗浄水?@または、酸化力があり且つアルカリ性の洗浄水?Bを生成する。また、水素水と酸性溶液またはアルカリ性溶液を混合して還元力があり且つアルカリ性の洗浄水?Aあるいは、還元力があり且つ酸性の洗浄水?Cを生成する。これらの洗浄水は洗浄力が高く、ORPやpHをそれぞれ調節できる。よって、被洗浄物の製造工程における付着物の種類に応じて洗浄水を選択でき、1つの洗浄水で複数種の付着物を洗浄できる。
請求項(抜粋):
酸化力があり且つアルカリ性の洗浄水で被洗浄物を洗浄することを特徴とする洗浄方法。
IPC (9件):
C11D 11/00
, B08B 3/08
, C11D 7/02
, C11D 7/18
, C11D 7/60
, C11D 7:18
, C11D 7:08
, C11D 7:02
, C11D 7:06
FI (5件):
C11D 11/00
, B08B 3/08 A
, C11D 7/02
, C11D 7/18
, C11D 7/60
引用特許:
審査官引用 (13件)
-
半導体基板のウエット処理方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-056109
出願人:日本電気株式会社
-
特開平2-164035
-
特開平1-099221
-
半導体ウェーハの洗浄方法およびその装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-330339
出願人:新日本製鐵株式会社
-
特開平4-079221
-
半導体基板の処理方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-264470
出願人:日本電気株式会社
-
シリコンウェハおよびシリコン酸化物の洗浄液
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-203023
出願人:新日本製鐵株式会社, ニッテツ電子株式会社
-
特開昭53-031002
-
洗浄装置および洗浄方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-236028
出願人:株式会社豊田中央研究所
-
特開平4-058528
-
特開平2-164035
-
特開平4-058528
-
特開平2-164035
全件表示
前のページに戻る