特許
J-GLOBAL ID：200903037684653144

半絶縁性GaAs単結晶の製造方法

発明者：
朝日 聰明

朝日 聰明 について

, 
小田 修

小田 修 について


出願人/特許権者：
株式会社ジャパンエナジー

株式会社ジャパンエナジー について


代理人 (1件)： 荒船 博司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-332356
公開番号（公開出願番号）：特開平10-167898
出願日： 1996年12月12日
公開日（公表日）： 1998年06月23日
要約：
【要約】【課題】 VGF法及びVB法により、結晶成長方向の炭素濃度が一定な半絶縁性GaAs単結晶を得る。【解決手段】 石英アンプル内に、GaAs原料及びB2 O3 を入れたるつぼと、蒸気圧制御用のAsと、Ga2 O3 、As2 O3 よりなる群から選ばれた1または2以上の化合物、あるいは、一酸化炭素、二酸化炭素よりなる群から選ばれた1または2以上の化合物よりなる酸素供給源を封入し、石英アンプル中のCOガス濃度を制御しながら結晶成長を行う。【効果】 育成結晶中の炭素濃度を制御しながら結晶育成を行うことができ、炭素濃度の均一な半絶縁性GaAs単結晶が高歩留まりで得られる。
請求項（抜粋）：
気密容器内に、少なくともGaAs原料を入れたるつぼと、酸素化合物よりなる酸素供給源とを封入した後、その気密容器を縦型の加熱炉内に設置して前記原料をヒータにより加熱融解し、原料融液を所定の温度勾配下で徐々に冷却して固化させることによりGaAs単結晶を成長させることを特徴とする半絶縁性GaAs単結晶の製造方法。
IPC (4件)：
C30B 29/42 ,  C30B 11/00 ,  C30B 27/00 ,  H01L 21/208
FI (4件)：
C30B 29/42 ,  C30B 11/00 Z ,  C30B 27/00 ,  H01L 21/208 T
引用特許：
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (23件)
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