半導体加速度センサ

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤強
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-194166
公開番号（公開出願番号）：特開平10-123167
出願日： 1997年07月18日
公開日（公表日）： 1998年05月15日
要約：

【要約】【課題】使用温度範囲内で基板側から受ける応力で発生する感度変動を所定以下となるようにセンサチップを形成する。【解決手段】センサチップ23は、シリコン台座22上に接着剤27により接着固定されるもので、外周部にフレーム24が形成され、これに4つの梁部25a〜25dを介して重り部26が支持される構造である。センサチップ23の構造で、温度変化で発生する応力による感度変動に対して大きく変動する要素として、梁部25a〜25dの厚さ寸法であることに着目し、これを4.2μm以上で5.5μm以下程度(好ましくは4.5μm)に設定することで、感度の温度係数TCSを±800ppm/°C以下にすることができ、-30°Cから80°Cの使用温度範囲で感度の変動度合を5〜6%以下に抑制できる。±1G〜±2G程度の微小な加速度を精度良く検出できる。

請求項（抜粋）：

加速度の検出範囲を±1G〜±2G(1Gは重力の加速度)程度としたものであって、梁部を介して重り部が支持される構成で、加速度を受けて重り部が変位すると梁部に形成した抵抗体が歪みを受けて抵抗値が変化し、これを電気的に検出してそのとき受けている加速度の大きさを検出するようにした半導体センサ素子を有する半導体加速度センサにおいて、前記半導体センサ素子の梁部の厚さ寸法を、使用温度範囲内での感度の変動量が所定の許容値となるときの寸法以上に設定したことを特徴とする半導体加速度センサ。

IPC (2件)：

G01P 15/12 , G01P 21/00

FI (2件)：

G01P 15/12 , G01P 21/00

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体歪みセンサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-255113 出願人：日本電装株式会社
半導体加速度検出装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-246052 出願人：三菱電機株式会社
半導体センサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-318868 出願人：日本電気株式会社

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