特許
J-GLOBAL ID：200903037693353781

半導体装置および電界効果トランジスタならびにそれらの形成方法

発明者：
ココン、クリストファー、ボグスロー

ココン、クリストファー、ボグスロー について


出願人/特許権者：
フェアチャイルド セミコンダクター コーポレイション

フェアチャイルド セミコンダクター コーポレイション について


代理人 (4件)： 浅村 皓 ,  浅村 肇 ,  清水 邦明 ,  林 鉐三
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-537103
公開番号（公開出願番号）：特表2005-507160
出願日： 2002年10月16日
公開日（公表日）： 2005年03月10日
要約：
半導体装置が開示される。半導体装置は、1つ又はそれ以上の電荷制御電極複数の電荷制御電極を含む。この1つ又はそれ以上の電荷制御電極は半導体装置のドリフト領域内の電界を制御することができる。
請求項（抜粋）：
半導体装置であって、 a)半導体基板と、 b)半導体基板の中の第1の導電性型式の第1の領域と、 c)半導体基板の中の第2の導電性型式の第2の領域と、 d)複数の電荷制御電極であって、当該複数の電荷制御電極における各電荷制御電極は、当該複数の電荷制御電極における他の電荷制御電極とは異なるバイアスをされるのに適合し、 e)積み重ねられた電荷制御電極の各々の周りに配置された誘電体材料と、 を包含する半導体装置。
IPC (5件)：
H01L29/78 ,  H01L21/331 ,  H01L29/06 ,  H01L29/732 ,  H01L29/861
FI (11件)：
H01L29/78 652H ,  H01L29/78 652K ,  H01L29/78 652L ,  H01L29/78 652P ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 653C ,  H01L29/06 301F ,  H01L29/91 D ,  H01L29/72 P ,  H01L29/78 301D ,  H01L29/78 301W
Fターム (38件)：
5F003AP06 ,  5F003BA91 ,  5F003BC02 ,  5F003BC05 ,  5F003BC08 ,  5F003BH06 ,  5F003BH10 ,  5F003BH18 ,  5F003BZ01 ,  5F003BZ02 ,  5F140AA25 ,  5F140AA30 ,  5F140AB06 ,  5F140AB07 ,  5F140AC21 ,  5F140AC23 ,  5F140BA01 ,  5F140BA07 ,  5F140BB02 ,  5F140BD05 ,  5F140BD07 ,  5F140BE03 ,  5F140BE07 ,  5F140BE10 ,  5F140BE14 ,  5F140BF04 ,  5F140BF07 ,  5F140BF43 ,  5F140BG21 ,  5F140BH30 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ05 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ08 ,  5F140BJ23 ,  5F140CB08 ,  5F140CD01 ,  5F140CD09
引用特許：
審査官引用 (9件)
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