pn接合型リン化硼素系半導体発光素子およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：柿沼伸司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-047457
公開番号（公開出願番号）：特開2003-249679
出願日： 2002年02月25日
公開日（公表日）： 2003年09月05日
要約：

【要約】【課題】リン化硼素系半導体発光素子において、発光層からの第IV族元素の外部拡散を抑制し、発光層内の第IV族元素の原子濃度を発光強度の観点から最適な濃度に維持する。【解決手段】第1のリン化硼素系半導体層と第IV族元素を故意に添加したIII-V族半導体層からなる発光層と第2のリン化硼素系半導体層とからなるpn接合型ヘテロ(異種)接合構造を備えたリン化硼素系半導体発光素子に於いて、第1のリン化硼素系半導体層を、第IV族元素を含むアンドープの第1の伝導形のリン化硼素系半導体から構成し、第2のリン化硼素系半導体層を、第IV族元素を含む第2の伝導形のリン化硼素系半導体層から構成する。

請求項（抜粋）：

第1の伝導形の珪素(Si)単結晶からなる基板と、該基板上に設けられた第1の伝導形の第1のリン化硼素系半導体層と、第1のリン化硼素系半導体層上に設けられた、第1または第2の伝導形を有する、元素周期律表上の第IV族元素を故意に添加したIII-V族半導体層からなる発光層と、発光層上に設けられた第2の伝導形の第2のリン化硼素系半導体層とを有し、第1のリン化硼素系半導体層と発光層と第2のリン化硼素系半導体層とからなるpn接合型ヘテロ(異種)接合構造を備えたpn接合型リン化硼素系半導体発光素子に於いて、第1のリン化硼素系半導体層を、第IV族元素を含むアンドープの第1の伝導形のリン化硼素系半導体から構成し、第2のリン化硼素系半導体層を第IV族元素を含む、第1の伝導形とは反対の第2の伝導形のリン化硼素系半導体層から構成したことを特徴とするpn接合型リン化硼素系半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 , H01L 21/205

FI (2件)：

H01L 33/00 A , H01L 21/205

Fターム (21件)：

5F041AA41 , 5F041AA43 , 5F041AA44 , 5F041CA04 , 5F041CA34 , 5F041CA57 , 5F041CA65 , 5F041CA76 , 5F041CB06 , 5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AC09 , 5F045AD07 , 5F045AD14 , 5F045AE25 , 5F045AF03 , 5F045BB04 , 5F045BB16 , 5F045CA10 , 5F045DA53 , 5F045DA63

引用特許：

出願人引用 (8件)

特開平3-034537
特開平2-275682
半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-179198 出願人：株式会社東芝

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