特許
J-GLOBAL ID：200903037653964150

半導体素子、半導体発光素子およびn型半導体の形成方法

発明者：
吉江 睦之

吉江 睦之 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： 福島 祥人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-013424
公開番号（公開出願番号）：特開2000-216433
出願日： 1999年01月21日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
要約：
【要約】【課題】 高い電子濃度を有するn型半導体層を備えた半導体素子および半導体発光素子を提供することである。【解決手段】 GaN系半導体レーザ素子100は、サファイア基板11上に、低温バッファ層12、n-GaNコンタクト層13、高濃度n-GaN層14、高濃度n-Al0.1 Ga0.9 Nクラッド層15、n-Al0.1 Ga0.9 Nクラッド層16、n-GaN光ガイド層17、n-MQW発光層18、p-Al0.1 Ga0.9 N層19、p-GaN光ガイド層20、p-Al0.1 Ga0.9 Nクラッド層21およびp-GaNコンタクト層22が順に積層されている。高濃度n-GaN層14および高濃度n-Al0.1 Ga0.9 Nクラッド層15の電子濃度は1×1021cm-3である。
請求項（抜粋）：
ホウ素、ガリウム、アルミニウムおよびインジウムの少なくとも1つを含む窒化物系半導体中に炭素をn型不純物としてドープすることによりn型半導体を形成することを特徴とするn型半導体の形成方法。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01S 5/323
FI (2件)：
H01L 33/00 C ,  H01S 3/18 673
Fターム (8件)：
5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA57 ,  5F041CA58 ,  5F073CA02 ,  5F073CA03 ,  5F073CB17 ,  5F073CB19
引用特許：
審査官引用 (7件)
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