特許
J-GLOBAL ID：200903072242519309

半導体装置、半導体発光装置、および光情報処理装置

発明者：
中塚 慎一

中塚 慎一 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 高橋 明夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-126703
公開番号（公開出願番号）：特開平10-321957
出願日： 1997年05月16日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：
【要約】【目的】窒素を含有するIII-V族化合物半導体により形成される半導体装置、あるいは半導体発光装置の低駆動電圧化を実現する。低動作電圧の光情報処理装置を実現する。【構成】少なくとも窒素を含有するIII-V族化合物半導体により形成されるpn接合部を少なくとも有し、このpn接合は印加電圧に対して逆接合となり、且つこのpn接合の界面に禁制対幅が実質的に零なるIII-V族化合物半導体層を有する半導体装置。【効果】低駆動電圧の半導体装置、半導体発光装置を実現出来る。更に、複数の半導体装置を所定位置に配置、例えば直列に形成することも可能となる。低動作電圧の光情報処理装置を実現出来る。
請求項（抜粋）：
少なくとも窒素を含有するIII-V族化合物半導体により形成されるpn接合部を少なくとも有し、このpn接合は印加電圧に対して逆接合となり、且つこのpn接合の界面に禁制対幅が実質的に零なるIII-V族化合物半導体層を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01S 3/18 ,  H01L 27/15 ,  H01L 33/00
FI (3件)：
H01S 3/18 ,  H01L 27/15 B ,  H01L 33/00 C
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (2件)

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