半導体装置

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-002549
公開番号（公開出願番号）：特開2007-184478
出願日： 2006年01月10日
公開日（公表日）： 2007年07月19日
要約：

【課題】高電圧・高電流の領域において、破壊される事態が低減されたIGBTを提供すること。【解決手段】 IGBT10は、コレクタ領域22とドリフト領域28の間に、半導体領域25を備えている。半導体領域25の不純物濃度は、ドリフト領域28の不純物濃度よりも濃く形成されている。さらに、半導体領域25の不純物濃度は、コレクタ領域22とドリフト領域28の間で変化している。半導体領域25の不純物濃度が最大となる位置は、ドリフト領域28側に形成されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体装置であり、コレクタ電極と、そのコレクタ電極に接しており、第1導電型の不純物を含むコレクタ領域と、そのコレクタ領域に接しており、第2導電型の不純物を高濃度に含む半導体領域と、その半導体領域に接しており、半導体領域によってコレクタ領域から隔てられており、第2導電型の不純物を低濃度に含むドリフト領域と、そのドリフト領域に接しており、ドリフト領域によって半導体領域から隔てられており、第1導電型の不純物を含むボディ領域と、ボディ領域に接しており、ボディ領域によってドリフト領域から隔てられており、第2導電型の不純物を高濃度に含むエミッタ領域と、ドリフト領域とエミッタ領域を隔てているボディ領域にゲート絶縁膜を介して対向しているゲート電極と、エミッタ領域とボディ領域に接しているエミッタ電極を備えており、前記半導体領域の不純物濃度は、コレクタ領域とドリフト領域の間で変化しており、不純物濃度が最大となる位置がドリフト領域側に形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/739 , H01L 29/78

FI (3件)：

H01L29/78 655C , H01L29/78 653A , H01L29/78 652G

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-240269 出願人：株式会社東芝

審査官引用 (5件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-036353 出願人：富士電機株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-246574 出願人：株式会社東芝
特開平2-196471

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