特許
J-GLOBAL ID：200903037782830976
基板処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-221902
公開番号（公開出願番号）：特開2007-042671
出願日： 2005年07月29日
公開日（公表日）： 2007年02月15日
要約：
【課題】ノズルを介してガスを供給する基板処理装置において、ヒータの温度勾配を小さくし、SiまたはSiGeの選択エピタキシャル成長の高い成長速度を有する成膜装置および半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】シリコン基板上に選択的にシリコンエピタキシャル膜を成長させる基板処理装置であって、処理室12と、前記処理室12内に収容される前記基板を加熱する個々に異なる加熱制御を行うことができる複数の分割ゾーンを備える加熱装置4と、前記処理室12内にシリコン系ガスおよびエッチング系ガスを供給するガス供給系8とを有し、前記ガス供給系8は、前記シリコン系ガスまたはエッチング系ガスを前記処理室12内のそれぞれ異なる複数箇所へ供給する複数のガス供給部材を備える基板処理装置である。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
シリコン基板上に選択的にシリコンエピタキシャル膜を成長させる基板処理装置であっ
て、
処理室と、
前記処理室内に収容される前記基板を加熱する加熱装置であって、個々に異なる加熱制
御を行うことができる複数の分割ゾーンを備える前記加熱装置と、
前記処理室内にシリコン系ガスおよびエッチング系ガスを供給するガス供給系と、を有
し、
前記ガス供給系は、前記シリコン系ガスまたはエッチング系ガスを前記処理室内のそれ
ぞれ異なる複数箇所へ供給する複数のガス供給部材を備えたことを特徴とする基板処理装
置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (11件)：
5F045AA03
, 5F045AB01
, 5F045AB02
, 5F045AC01
, 5F045AC05
, 5F045AF03
, 5F045BB03
, 5F045DP19
, 5F045DP28
, 5F045DQ05
, 5F045EK22
