基材表面に差次的除去速度を適用するための方法および装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：山本秀策 , 安村高明 , 森下夏樹
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-517753
公開番号（公開出願番号）：特表2005-531929
出願日： 2003年06月23日
公開日（公表日）： 2005年10月20日
要約：

半導体処理システムが提供される。このシステムは、基材表面上に配置された薄膜厚を示すシグナルを検出するように構成されたセンサーを備える。研磨用パッドの表面に第1流体を適用するように構成された第1ノズルを備える。この第1ノズルより上流に位置する流体制限デバイスが設けられる。この流体制限デバイスは、研磨用パッドの表面上にスラリーを均一に分布させるように構成されている。流体制限デバイスより上流に位置する第2ノズルを備える。この第2ノズルは、均一に分布したスラリーに第2流体を適用するように構成されている。基材の表面に差次的除去速度を適用するためのCMPシステムおよび方法もまた提供される。

請求項（抜粋）：

基材表面に適用される除去速度に対して差次的制御を提供するための方法であって、以下: 処理操作の前に該基材の厚さ地図を生成する工程; 該厚さ地図の座標を該処理操作において利用されるセンサーと関連付ける工程;および該センサーと関連付けられた該基材表面の位置において使用される除去速度を、該厚さ地図から提供されるデータに基づいて調節する工程、を包含する、方法。

IPC (5件)：

H01L21/304 , B24B37/00 , B24B37/04 , H01L21/306 , H01L21/66

FI (6件)：

H01L21/304 622R , H01L21/304 622S , B24B37/00 K , B24B37/04 D , H01L21/66 P , H01L21/306 M

Fターム (30件)：

3C058AA07 , 3C058AA09 , 3C058AC02 , 3C058AC04 , 3C058BA01 , 3C058BA02 , 3C058BA07 , 3C058BA09 , 3C058BA11 , 3C058BA13 , 3C058BB02 , 3C058BB03 , 3C058BB06 , 3C058BB08 , 3C058BB09 , 3C058BC02 , 3C058CB01 , 3C058CB03 , 3C058CB09 , 3C058DA12 , 3C058DA17 , 4M106AA01 , 4M106BA20 , 4M106CA48 , 4M106DH57 , 4M106DJ27 , 5F043AA22 , 5F043DD16 , 5F043DD27 , 5F043FF07

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開平1-310866
渦電流損失測定センサ、膜厚測定装置、膜厚測定方法および記録媒体
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-028187 出願人：株式会社東芝
研磨方法及びInP基板
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-024071 出願人：株式会社ジャパンエナジー

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