特許

J-GLOBAL ID：200903037992803009

半導体装置およびその製造方法

発明者： 藤井 哲夫 ,  杉浦 和彦
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (3件)： 伊藤 洋二 ,  三浦 高広 ,  水野 史博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-004144
公開番号（公開出願番号）：特開2009-033091
出願日： 2008年01月11日
公開日（公表日）： 2009年02月12日
要約：

【課題】半導体力学量センサについて、センサの構造の簡略化、チップサイズの低減を図る。【解決手段】半導体力学量センサのうちキャップ部20においてセンサ部10と対向する一面に第1絶縁膜22、第1配線層23、第2絶縁膜24、および第2配線層25によって構成される配線構造を設け、他方、センサ部10にセンサ構造体15〜17を設ける。そして、キャップ部20とセンサ部10とを接合することで、配線構造をセンサ構造体15〜17に接続しつつ、センサ構造体15〜17を封止する構造とする。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

一面を有する板状であって、前記一面の表層部にセンサ構造体(15〜17)が形成されたセンサ部(10)と、板状のキャップ部(20)とを備え、前記センサ部(10)の一面に前記キャップ部(20)が接合されてなる半導体装置であって、 前記キャップ部(20)は、前記センサ部(10)が接合される面に、当該センサ部(10)が接合される面の外縁部分と前記センサ構造体(15〜17)とを繋ぐようにパターニングされた配線パターン部(23〜25)を有し、 前記キャップ部(20)が前記センサ部(10)に接合されることで、前記配線パターン部(23〜25)が前記センサ構造体(15〜17)に接続され、前記センサ構造体(15〜17)と外部とが電気的に接続されるようになっていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 23/02 ,  G01P 15/08 ,  H01L 29/84

FI (3件)：

H01L23/02 J ,  G01P15/08 P ,  H01L29/84 Z

Fターム (26件)：

2F105BB13 ,  2F105BB14 ,  2F105BB15 ,  2F105CC04 ,  2F105CD03 ,  2F105CD13 ,  4M112AA02 ,  4M112BA07 ,  4M112CA21 ,  4M112CA23 ,  4M112CA24 ,  4M112CA31 ,  4M112CA32 ,  4M112CA33 ,  4M112DA02 ,  4M112DA04 ,  4M112DA06 ,  4M112DA16 ,  4M112DA18 ,  4M112EA03 ,  4M112EA06 ,  4M112EA07 ,  4M112EA11 ,  4M112EA13 ,  4M112EA18 ,  4M112FA20

引用特許：

出願人引用 (6件)

• センサおよびセンサの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-240583   出願人：ローベルトボツシユゲゼルシヤフトミツトベシユレンクテルハフツング
• 半導体力学量センサおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-367421   出願人：株式会社デンソー
• 半導体力学センサ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-273202   出願人：日本電装株式会社
• 慣性力センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-124795   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-430049   出願人：株式会社デンソー
• センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-169747   出願人：エスティーマイクロエレクトロニクスエス.アール.エル.

審査官引用 (1件)

• 慣性力センサ、およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-139158   出願人：三菱電機株式会社